[發(fā)明專利]一種微型有機發(fā)光顯示裝置及其形成方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810213821.1 | 申請日: | 2018-03-15 |
| 公開(公告)號: | CN110164906B | 公開(公告)日: | 2021-03-19 |
| 發(fā)明(設計)人: | 顧寒昱;孔杰;居宇涵 | 申請(專利權(quán))人: | 合肥視涯技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 上海恒銳佳知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 31286 | 代理人: | 黃海霞 |
| 地址: | 230012 安徽*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 微型 有機 發(fā)光 顯示裝置 及其 形成 方法 | ||
1.一種微型有機發(fā)光顯示裝置,其特征在于,包括:
基板,設置于所述基板上的多個像素單元,每個所述像素單元包括位于所述基板上的陽極;
位于各所述像素單元之間的像素定義層,所述像素定義層的垂直于所述基板的截面包括相互連接的第一部分和第二部分,所述第一部分遠離所述基板一側(cè),所述第二部分鄰近所述基板一側(cè);
所述第一部分的形狀為第一四邊形,所述第一四邊形包括一上底邊、一下底邊、兩側(cè)邊,所述上底邊寬度小于所述下底邊的寬度,所述兩側(cè)邊在所述基板上投影超出所述上底邊在所述基板上投影的范圍,所述兩側(cè)邊在所述基板上投影落入所述下底邊在所述基板上投影的范圍;
所述第二部分的形狀為第二四邊形,所述第二四邊形包括一上底邊、一下底邊、兩側(cè)邊,所述上底邊寬度大于所述下底邊的寬度,所述兩側(cè)邊在所述基板上投影落入所述上底邊在所述基板上投影的范圍,所述兩側(cè)邊在所述基板上投影超出所述下底邊在所述基板上投影的范圍;
所述第一四邊形的下底邊和所述第二四邊形的上底邊相互連接;
還包括位于所述像素定義層上的多層有機膜層,在所述多層有機膜層中包括直接位于所述像素定義層上的第一有機膜層,所述第一有機膜層和所述陽極的厚度和小于所述第二部分的厚度,并且所述第一有機膜層在各所述像素單元之間為非連接結(jié)構(gòu);
還包括位于所述多層有機膜層上的陰極層,所述陰極層以下的所述多層有機膜層和所述陽極的厚度和,大于所述第二部分的厚度,所述陰極層在各所述像素單元之間為連接結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的微型有機發(fā)光顯示裝置,其特征在于,在所述第一有機膜層上方的有機膜層中有一第一膜層,所述第一膜層、所述第一膜層下方的各有機膜層以及所述陽極的厚度和小于所述第二部分的厚度,所述第一膜層以及所述第一膜層下方的各有機膜層在各所述像素單元之間為非連接結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求2所述的微型有機發(fā)光顯示裝置,其特征在于,所述第一有機膜層為第一空穴注入層。
4.如權(quán)利要求3所述的微型有機發(fā)光顯示裝置,其特征在于,所述多層有機膜層還包括位于所述第一空穴注入層上的第一空穴傳輸層,所述第一膜層為所述第一空穴傳輸層。
5.如權(quán)利要求4所述的微型有機發(fā)光顯示裝置,其特征在于,所述多層有機膜層還包括依次位于所述第一空穴傳輸層上的第一電子阻擋層、第一空穴阻擋層。
6.如權(quán)利要求5所述的微型有機發(fā)光顯示裝置,其特征在于,所述第一電子阻擋層和所述第一空穴阻擋層之間還設置有第一發(fā)光層,所述第一發(fā)光層為單層結(jié)構(gòu);或者,所述第一發(fā)光層為多層不同發(fā)光材料形成的層疊結(jié)構(gòu)。
7.如權(quán)利要求5所述的微型有機發(fā)光顯示裝置,其特征在于,所述第一電子阻擋層和所述第一空穴阻擋層之間還設置有第一發(fā)光層,所述第一發(fā)光層位于各像素單元范圍內(nèi);或者,各像素單元的第一發(fā)光層相互連接。
8.如權(quán)利要求5所述的微型有機發(fā)光顯示裝置,其特征在于,所述多層有機膜層還包括依次位于所述第一空穴阻擋層之上的第一N型電荷生成層、第一P型電荷生成層、第二空穴注入層、第二空穴傳輸層、第二電子阻擋層、第二空穴阻擋層。
9.如權(quán)利要求8所述的微型有機發(fā)光顯示裝置,其特征在于,所述第一膜層為所述第一N型電荷生成層、第一P型電荷生成層、第二空穴注入層、或第二空穴傳輸層中。
10.如權(quán)利要求9所述的微型有機發(fā)光顯示裝置,其特征在于,所述第二電子阻擋層和所述第二空穴阻擋層之間還設置有第二發(fā)光層,所述第二發(fā)光層為單層結(jié)構(gòu);或者,所述第二發(fā)光層為多層不同發(fā)光材料形成的層疊結(jié)構(gòu)。
11.如權(quán)利要求9所述的微型有機發(fā)光顯示裝置,其特征在于,所述第二電子阻擋層和所述第二空穴阻擋層之間還設置有第二發(fā)光層,所述第二發(fā)光層位于各像素單元范圍內(nèi);或者,各像素單元的第二發(fā)光層相互連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





