[發明專利]用于FDSOI的電路調諧方案

有效

• 申請號: 201810213579.8
• 申請日: 2018-03-15
• 公開（公告）號: CN108631768B
• 公開（公告）日: 2022-05-24
• 發明（設計）人: 阿貝拉特·貝拉爾;亞若·巴拉薩伯拉馬尼彥
• 申請（專利權）人: 格芯(美國)集成電路科技有限公司
• 主分類號: H03K19/0185
• 分類號: H03K19/0185;H03K19/003
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種電路調諧的方法，其包含：

對電路結構施加第一正電壓及第二正電壓，該電路結構包括具有翻轉井組態的p型金屬氧化物半導體裝置及n型金屬氧化物半導體裝置；

響應于對該n型金屬氧化物半導體裝置的p型井區所施加的該第一正電壓而調整第一閾值電壓，及響應于對該p型金屬氧化物半導體裝置的p型井區所施加的該第二正電壓而調整第二閾值電壓；

相對于相同共模電壓透過該p型金屬氧化物半導體裝置及該n型金屬氧化物半導體裝置的背柵極補償該第一閾值電壓及該第二閾值電壓；以及

當該第一閾值電壓及該第二閾值電壓提升時，提升該第一正電壓以降低該第一閾值電壓，且降低該第二正電壓以降低該第二閾值電壓，從而補償該第一閾值電壓及該第二閾值電壓的提升。

2.如權利要求1所述的方法，還包含相對于該共模電壓透過該背柵極修改該第一正電壓及該第二正電壓、以及順著相反方向進行調整以就工藝變異追跡該第一閾值電壓及該第二閾值電壓。

3.如權利要求1所述的方法，其中，該n型金屬氧化物半導體裝置的該p型井區及該p型金屬氧化物半導體裝置的該p型井區位在共享的深n型井區中。

4.如權利要求3所述的方法，還包含使該深n型井區偏壓至該p型金屬氧化物半導體裝置的n型井區。

5.如權利要求1所述的方法，其中，該n型金屬氧化物半導體裝置包含翻轉井組態。

6.如權利要求1所述的方法，其中，該方法不需要將負電荷泵用于該背柵極。

7.一種電路調諧結構，其包含：

襯底，包括深n型井區；

翻轉井p型金屬氧化物半導體裝置，其包括：

第一p型金屬氧化物半導體n型井區，安置于該深n型井區上方并連接至供應電壓，

第一襯底p型金屬氧化物半導體p型井區，連接至接地并與該第一p型金屬氧化物半導體n型井區的第一側邊側向毗鄰，以及

第二襯底p型金屬氧化物半導體p型井區，具有電耦合至背柵極的對置n型井區，以及

n型金屬氧化物半導體裝置，安置于該深n型井區上方并側向毗鄰該翻轉井p型金屬氧化物半導體裝置，該n型金屬氧化物半導體裝置包括：

n型金屬氧化物半導體n型井區，側向毗鄰該第二襯底p型金屬氧化物半導體p型井區，以及

n型金屬氧化物半導體p型井區，電耦合至該背柵極，其中，該n型金屬氧化物半導體p型井區側向毗鄰該n型金屬氧化物半導體n型井區；

控制電路，經組配用以對該第一襯底p型金屬氧化物半導體p型井區施加第一正背柵極電壓、及對該n型金屬氧化物半導體p型井區施加第二正背柵極電壓；以及

該第一正背柵極電壓及該第二正背柵極電壓相對于共模電壓彼此成反比。

8.如權利要求7所述的電路調諧結構，其中，該第二襯底p型金屬氧化物半導體p型井區及該n型金屬氧化物半導體p型井區就標稱工藝界點以該共模電壓受偏壓。

9.如權利要求7所述的電路調諧結構，其中，該第一襯底p型金屬氧化物半導體p型井區及該n型金屬氧化物半導體p型井區共享該深n型井區。

10.如權利要求7所述的電路調諧結構，其中，該深n型井區受偏壓至該翻轉井p型金屬氧化物半導體裝置的該供應電壓。

11.如權利要求7所述的電路調諧結構，其中，該控制電路包括該控制電路中的數字模擬轉換器。

12.如權利要求11所述的電路調諧結構，其中，該數字模擬轉換器經組配以接收6位輸入。

13.如權利要求7所述的電路調諧結構，其中，該控制電路包括用于噪聲降低的電阻器-電容器濾波器。