[發明專利]一種高性能壓控振蕩器在審
| 申請號: | 201810211970.4 | 申請日: | 2018-03-15 |
| 公開(公告)號: | CN110277979A | 公開(公告)日: | 2019-09-24 |
| 發明(設計)人: | 劉覽琦;鄒維;胡昂;楊陽;江帆;逯召靜;石琴琴;張科峰 | 申請(專利權)人: | 武漢芯泰科技有限公司 |
| 主分類號: | H03K3/013 | 分類號: | H03K3/013;H03K3/012 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 430074 湖北省武漢市東湖開*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 壓控振蕩器 自動幅度控制電路 補償回路 電感組件 電容組件 寬帶 臨界點 半導體集成電路 電感 開關電容陣列 低相位噪聲 電流受限區 數字和模擬 并聯連接 并聯設計 電壓受限 變容管 低功耗 金屬層 | ||
1.一種高性能壓控振蕩器,其特征在于,所述壓控振蕩器包括并聯連接的自動幅度控制電路(1)、第一補償回路(2)、電感組件(3)、電容組件(4)和第二補償回路(5);
所述自動幅度控制電路(1)包括數字自動幅度控制電路(11)和模擬自動幅度控制電路(12),通過數字和模擬自動幅度控制電路的組合,以使所述壓控振蕩器工作在電流受限區和電壓受限區的臨界點;
所述電感組件(3)包括采用金屬層并聯設計的8型電感;
所述電容組件(4)包括開關電容陣列單元(41)和變容管單元(42)。
2.如權利要求1所述的高性能壓控振蕩器,其特征在于,所述數字自動幅度控制電路(11)包括多條并聯的開關電流源支路,每條開關電流源支路都設置有一個開關和一個電流源;所述開關電流源支路通過數字控制位進行開斷控制,以調整電流源的電流值。
3.如權利要求2所述的高性能壓控振蕩器,其特征在于,所述數字自動幅度控制電路(11)的一端連接第一電壓源(VDD1),另一端連接至第五PMOS管(PM5)的源極(S_PM5)和第六PMOS管(PM6)的源極(S_PM6)。
4.如權利要求1所述的高性能壓控振蕩器,其特征在于,所述模擬自動幅度控制電路(12)包括串聯連接的峰值檢測電路(121)和電流源對管(122);
其中,所述峰值檢測電路(121)用于檢測所述壓控振蕩器的峰值電壓,并將檢測結果反饋到所述電流源對管(122)以調節所述電流源對管(122)的輸出電流。
5.如權利要求4所述的高性能壓控振蕩器,其特征在于,所述峰值檢測電路(121)包括第一PMOS管(PM1)和第二PMOS管(PM2);
所述第一PMOS管(PM1)的柵極與所述第二PMOS管(PM2)漏極相連,所述第一PMOS管(PM1)的漏極與所述第二PMOS管(PM2)柵極、所述第五PMOS管(PM5)的源極(S_PM5)相連,所述第一PMOS管(PM1)的源極與所述第二PMOS管(PM2)源極相連,所述第二PMOS管(PM2)的漏極與所述第六PMOS管(PM6)的源極(S_PM6)相連。
6.如權利要求4所述的高性能壓控振蕩器,其特征在于,所述電流源對管(122)包括并聯連接的第一電流源管(1221)和第二電流源管(1222);
所述第一電流源管(1221)包括串聯連接的第三PMOS管(PM3)和第二電壓源(VDD2);
所述第二電流源管(1222)包括串聯連接的第四PMOS管(PM4)和第三電壓源(VDD3);
所述第三PMOS管(PM3)的柵極與所述第四PMOS管(PM4)的柵極相連,所述第三PMOS管(PM3)的漏極與所述第四PMOS管(PM4)的漏極相連,所述第三PMOS管(PM3)的源極連接所述第二電壓源(VDD2),所述第四PMOS管(PM4)的源極連接所述第三電壓源(VDD3)。
7.如權利要求1所述的高性能壓控振蕩器,其特征在于,所述開關電容陣列單元(41)包括多條并聯的開關電容支路,每條開關電容支路都設置有一個開關和兩個容值相等的電容;所述開關電容支路通過數字控制位進行開斷控制,以調整所述開關電容支路輸出的電容值,實現對所述壓控振蕩器的輸出頻率的粗調以及輸出帶寬的劃分。
8.如權利要求1所述的高性能壓控振蕩器,其特征在于,所述變容管單元(42)包括第一可變電容(Var1)、第二可變電容(Var2);
所述第一可變電容(Var1)和所述第二可變電容(Var2)背靠背對接,對接端設置有一個接入外部諧振電壓信號(Vctr)的端口(Port_Vctr)。
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