[發明專利]集成電路及其操作方法

有效

• 申請號: 201810211625.0
• 申請日: 2018-03-14
• 公開（公告）號: CN109949847B
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發明（設計）人: 洪俊雄;楊尚輯
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種集成電路，包括：

一組接墊，配置用于連接于外部電路，該組接墊包括一形成電壓接墊；

一存儲器陣列，包括多個存儲單元，且多個存取線以電流連通的方式連接于該存儲器陣列中的該多個存儲單元；

一形成電壓軌，耦接于該形成電壓接墊；

一二極管，配置以電流連通于該形成電壓軌及該多個存取線中與該二極管對應的一存取線，在施加一形成電壓至該形成電壓接墊的期間，該二極管配置為被施以正向偏壓，以在該多個存儲單元中的多個存儲單元中誘發一形成電流；在使用該存儲器陣列進行多個存儲器操作的期間，在施加一參考電壓至該形成電壓接墊的期間，該二極管配置為被施以逆向偏壓；以及

多個外圍電路，耦接于該組接墊的一信號次群組中的多個接墊，并耦接于該多個存取線，該些外圍電路包括配置以執行該多個存儲器操作的一控制電路；

其中，該些外圍電路包括多個互補金屬氧化物半導體晶體管，該些外圍電路中所有的該些互補金屬氧化物半導體晶體管具有一擊穿電壓，該擊穿電壓小于施加至該形成電壓接墊的該形成電壓。

2.如權利要求1所述的集成電路，其中該多個存儲單元包括存儲單元的多個存儲器組，各個存儲器組包括具有N個存取線的一組存取線，該組存取線配置為位線與字線的其中之一；以及包括：

一組形成電壓軌，包括該形成電壓軌，該組形成電壓軌具有N個形成電壓軌；

多個二極管，包括該二極管；該多個二極管包括多組二極管，各該多組二極管具有N個二極管，該多組二極管中該些組二極管耦接于該多個存儲器組中對應的存儲器組；各該組二極管中的該N個二極管是以電流連通的方式連接于該組形成電壓軌的該N個形成電壓軌的對應的形成電壓軌，且連接于對應的存儲器組中該N個存取線對應的存取線；

一組開關，具有N個開關，該組開關具有電流連通于該形成電壓接墊的一第一終端以及電流連通于該組形成電壓軌中的一形成電壓軌的一第二終端，在響應于一控制順序時，該些開關配置為使該形成電壓接墊與所對應的形成電壓軌之間為電性連接與電性不連接。

3.如權利要求1所述的集成電路，包括：

一電源軌，耦接于該組接墊的一電源供應次群組中的至少一接墊，電源通過該電源軌分配至該存儲單元陣列以及/或是該些外圍電路，以用于該多個存儲器操作；以及

一個或多個二極管的一組二極管，包括該二極管，該組二極管的各個二極管具有一第一終端及一第二終端，該一個或多個二極管的該第一終端或多個該第一終端系以電流連通的方式連接于該形成電壓軌，且該一個或多個二極管的該第二終端及多個該第二終端系以電流連通的方式連接于該多個存取線中的多個存取線。

4.如權利要求3所述的集成電路，其中該控制電路是配置為將通過該形成電壓軌的電流經由該多個存取線施加至該些存儲單元，以執行一形成操作，且配置為將通過該電源軌的電流是經由該多個存取線施加至該些存儲單元，以執行多個該存儲器操作。

5.如權利要求3所述的集成電路，其中，在一形成操作中，當一形成電壓施加至該形成電壓接墊時，該控制電路是配置以施加正向偏壓于該一個或多個二極管的該組二極管，在各該存儲器操作中，當一參考電壓施加至該形成電壓接墊時，該控制電路是配置以施加逆向偏壓于該一個或多個二極管的該組二極管。

6.如權利要求3所述的集成電路，其中該存儲器陣列包括多個第二存取線，該多個第二存取線是以電流連通方式耦接于該些存儲單元，且在一形成操作中，該控制電路施加一偏壓至該多個第二存取線，以使該一個或多個二極管的該組二極管為正向偏壓。

7.如權利要求3所述的集成電路，其中該一個或多個二極管的該組二極管包括連接于個別的該多個存取線的多個二極管。

8.如權利要求3所述的集成電路，其中該些外圍電路包括多個感測放大器，且該多個存取線包括耦接于該些感測放大器的位線。