[發明專利]一種鹽堿地苗木種植方法

在審

• 申請號: 201810208559.1
• 申請日: 2018-03-14
• 公開（公告）號: CN108377688A
• 公開（公告）日: 2018-08-10
• 發明（設計）人: 楊慧俠;黃曼利
• 申請（專利權）人: 淮北達馳電氣科技有限公司
• 主分類號: A01B79/02
• 分類號: A01B79/02;A01G17/00;A01G24/10;A01G24/20;A01G24/22;A01G24/30;C05G3/04
• 代理公司: 昆明合眾智信知識產權事務所 53113
• 代理人: 張璽

本發明公開了一種鹽堿地苗木種植方法，S1：挖掘種植坑；S2：在所述種植坑的底部鋪設蓄水層；S3：鋪設鹽堿隔離層；S4：鋪設蓄水層；S5：鋪設營養土層；S6：回填種植土；S7：栽植苗木，以蘑菇渣為主要原料之一，不但使蘑菇渣可用作營養豐富、快速釋放的基質，還可用作工業化分銷和施投的有機肥料；它不但把蘑菇渣用作肥份，還用它作為堆肥初始階段添加的堆糞添加劑，提高了堆肥發酵的養分釋放和增殖效果；鋪設在種植坑的坑壁及底部的鹽堿隔離層可以隔離或減緩鹽堿等有害物質侵入種植坑內，有利于苗木正常生長。當種植土內的水分不斷蒸發掉后，蓄水層中存儲的水通過濾滲層而向上輸送到種植土，從而防止苗木干旱。

技術領域

本發明涉及苗木種植有機肥料技術領域，尤其涉及一種鹽堿地苗木種植方法。

背景技術

堿性土壤包括鹽土、鹽化土壤、堿土和堿化土壤，是在一定環境條件下形成和發育的，其影響因素以氣候、地形、地質、水文和水文地質及生物最為突出。另外，伴隨著人類對土地的開發利用，尤其是灌溉事業的發展及人類的不當利用，己引起了水文及水文地質惡化，導致土壤形成過程向不利于人類的方向發展。鹽堿土壤中因鹽分含量和高，干旱與澇漬并存，有機質含量低，土壤理化性狀差，緩沖性能差，保水保肥力低，對作物生長有害的陰陽離子多，不利于農作物的生長發育，且土地生產力和承載力低。

由于鹽堿土壤內大量鹽分的積累，特別是土壤中過量的交換性鈉的存在，易引起土壤物理性狀的惡化結構粘滯，通氣性差，容重高，土溫上升慢，土壤中好氣性微生物活動性差，水分釋放慢，滲透系數低，毛細作用強，更導致了表層土壤鹽漬化的加劇。

鹽堿地中種植植物的成活率一般都很低，因而嚴重影響著我國的農林業生產。

發明內容

本發明的目的是為了解決現有技術中存在的缺點，而提出的一種鹽堿地苗木種植方法及其制作工藝。

為了實現上述目的，本發明采用了如下技術方案：

一種鹽堿地苗木種植方法，包括如下步驟：

S1：挖掘種植坑；

S2：在所述種植坑的底部鋪設蓄水層，所述蓄水層是厚度為15-25cm的碎石層，然后在蓄水層上鋪設種植土，所述種植土的PH值為6.5-7.8，含鹽量低于0.2％。

S3：鋪設鹽堿隔離層：完成步驟S2后，在所述種植坑的坑壁及底部鋪設可以隔離鹽堿入侵的隔離材料，并用5-10cm長的木棒將隔離材料固定于種植坑的坑壁上；

S4：鋪設蓄水層：完成步驟S3后，在所述種植坑的底部鋪設濾滲層，所述濾滲層是厚度為20-30cm的爐渣或者農作物秸稈；

S5：鋪設營養土層：完后步驟S4后，在所述濾滲層上鋪設營養土層，所述營養土層厚度為30-40cm；

S6：回填種植土：向種植坑內回填適于苗木生長的種植土，所述種植土的ph值為6.5-7.8，含鹽量低于0.2％，先填至種植土的上表面離種植坑頂部的距離為整個所述種植坑深度的1/5～1/3，之后用水灌透，再第二次回填種植土，直至所述種植土的上表面與所述地表平齊；

S7：栽植苗木：3月中下旬，向所述種植坑內栽植苗木，栽植苗木的當天澆第一遍透水，三天后澆第二遍透水，第十天澆第三遍透水。

優選的，所述步驟S2中的隔離材料為無紡布、草柵或者可降解塑料布。

優選的，所述步驟S5中的營養土層包括硫酸銨2-5份、磷酸二氫鉀9-13、天然硫酸鉀鎂肥7-10份、腐熟堆肥15-20份、植物秸稈13-20份、蘑菇渣配料5-9份和質地蓬松的土壤30-37份，所述營養土層的制作方法包括如下步驟：

a：制備蘑菇渣配料，并向其中加入生物發酵劑，然后攪拌均勻，實施好氧發酵，使之產生菌絲后堆放并厭氧發酵至腐熟，獲得混合物B；