[發明專利]涂敷處理裝置和杯體有效
| 申請號: | 201810207953.3 | 申請日: | 2018-03-14 |
| 公開(公告)號: | CN108630529B | 公開(公告)日: | 2023-04-04 |
| 發明(設計)人: | 畠山真一;川上浩平 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 | ||
1.一種涂敷處理裝置,其在基板上涂敷涂敷液,所述涂敷處理裝置的特征在于,包括:
保持基板并使該基板旋轉的基板保持部;
對保持于該基板保持部的基板涂敷涂敷液的涂敷液供給部件;和
收納所述基板保持部,從底部進行排氣的杯體,
該杯體包括:
與保持于所述基板保持部的基板相比位于頂部側,包圍該基板的外周的氣流控制部;
支承所述氣流控制部的支承部;和
設置在所述杯體的外周部的周壁,
該支承部其一個端部與所述周壁的內周面連接,另一個端部連接有與所述一個端部相比位于頂部側的所述氣流控制部,并且,
在所述支承部設置有在與所述基板的旋轉軸垂直的方向上穿透的形狀的第1孔,在比該第1孔靠外側下方的位置設置有在所述基板的旋轉軸方向上穿透的形狀的第2孔,
所述第1孔形成于所述支承部的與保持于所述基板保持部的基板的外周端相對的位置。
2.如權利要求1所述的涂敷處理裝置,其特征在于:
所述第1孔的總面積比所述第2孔的總面積大。
3.如權利要求1或2所述的涂敷處理裝置,其特征在于:
與保持于所述基板保持部的基板的外周端相對的位置,是從比所述基板的表面靠上側0.8mm~4mm至比所述基板的表面靠下側2mm~5mm的部分。
4.一種杯體,其形成為頂部開口的有底筒狀,從底部進行排氣,且能夠收納用于保持基板并使該基板旋轉的基板保持部,所述杯體的特征在于,包括:
以規定的軸為中心的環狀的氣流控制部;
支承所述氣流控制部的支承部;和
設置在所述杯體的外周部的周壁,
該支承部其一個端部與該杯體的內周面連接,與所述一個端部相比位于頂部側的另一個端部與所述氣流控制部連接,并且,
在所述支承部形成有在與所述規定的軸垂直的方向上穿透的形狀的第1孔,在比該第1孔靠外側的位置形成有在所述規定的軸的方向上穿透的形狀的第2孔,
所述第1孔形成于所述支承部的與保持于所述基板保持部的基板的外周端相對的位置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





