[發明專利]包含倒四棱錐絨面結構的準單晶硅片及其制絨方法

有效

• 申請號: 201810207811.7
• 申請日: 2018-03-14
• 公開（公告）號: CN108447923B
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發明（設計）人: 王燕;劉堯平;陳全勝;陳偉;吳俊桃;趙燕;徐鑫;杜小龍
• 申請（專利權）人: 北京普揚科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0236
• 分類號: H01L31/0236;H01L31/18
• 代理公司: 北京中濟緯天專利代理有限公司 11429
• 代理人: 覃婧嬋

1.一種包含倒四棱錐絨面結構的準單晶硅片，所述硅片表面隨機分布有倒四棱錐組，所述倒四棱錐組包括一種或多種高與底邊邊長的比為0.7-6：1的倒四棱錐；準單晶硅片是指硅片中50％-90％的晶粒為(100)晶粒；所述倒四棱錐組包括一種或多種高與底邊邊長的比為1.2-4.4：1的倒四棱錐；

所述倒四棱錐選自下列倒四棱錐中的一種或多種：

1)一種高與底邊邊長的比為1.2-1.5：1之間的倒四棱錐；

2)和/或一種高與底邊邊長的比為1.9-2.3：1之間的倒四棱錐；

3)和/或一種高與底邊邊長的比為2.5-3.1：1之間的倒四棱錐；

4)和/或一種高與底邊邊長的比為3.2-3.7：1之間的倒四棱錐；

5)和/或一種高與底邊邊長的比為4.0-4.4：1之間的倒四棱錐；

其中包含上述不同高與底邊邊長比的倒四棱錐絨面結構的反射率的相對標準偏差低于20％；

所述高與底邊邊長的比在1.2-1.5：1之間的倒四棱錐，其底邊邊長在90nm-500nm之間；所述高與底邊邊長的比在1.9-2.3：1之間的倒四棱錐，其底邊邊長在80nm-500nm之間；所述高與底邊邊長的比在2.5-3.1：1之間的倒四棱錐，其底邊邊長在80nm-500nm之間；所述高與底邊邊長的比在3.2-3.7：1之間的倒四棱錐，其底邊邊長在60nm-500nm之間；所述高與底邊邊長的比在4.0-4.4：1之間的倒四棱錐，其底邊邊長在70nm-500nm之間。

2.一種權利要求1所述包含倒四棱錐絨面結構的準單晶硅片的制備方法，其包括：

1)將準單晶硅片放置于酸性制絨液中，在室溫下進行蝕刻，清洗去除金屬離子；

2)將清洗后具有倒四棱錐絨面結構的準單晶硅片置于堿液中進行結構修飾，清洗即得；

所述酸性制絨液中包含1-10mmol/L的銀離子、20-180mmol/L的銅離子、2-6mol/L的HF和0.3-5mol/L的H₂O₂；

銀離子和銅離子的摩爾比為1：5-100。

3.根據權利要求2所述的準單晶硅片的制備方法，其特征在于，所述酸性制絨液中優選1：20-60。

4.根據權利要求2所述的準單晶硅片的制備方法，其特征在于，所述堿液為含1-5％(重量)堿金屬及堿土金屬的氫氧化物的水溶液。

5.根據權利要求2-4任一項所述的準單晶硅片的制備方法，其特征在于，其包括：

1)將準單晶硅片放置于酸性制絨液中，在20℃～35℃下進行蝕刻1～10分鐘，清洗去除硅片表面的金屬離子；

2)將清洗后具有倒四棱錐絨面結構的準單晶硅片置于堿液中，在20℃～30℃條件下進行結構修飾10-240s，清洗即得。

6.權利要求1所述包含倒四棱錐絨面結構的準單晶硅片在太陽能電池中的應用。