[發明專利]一種橫向IGBT的制造方法

有效

• 申請號: 201810207164.X
• 申請日: 2018-03-14
• 公開（公告）號: CN108447904B
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發明（設計）人: 羅小蓉;鄧高強;孫濤;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331
• 代理公司: 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232
• 代理人: 孫一峰

1.一種LIGBT器件的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

第一步：準備半導體材料，所述半導體材料包括從上至下依次層疊設置的有源層(1)、絕緣層(2)和襯底層(3)，所述有源層(1)為N型導電類型；

第二步：通過局部氧化工藝在有源層(1)表面形成介質槽(4)，所述介質槽底部(4)與絕緣層(2)上表面之間有源層的厚度為T且T0，T值的大小為通過控制局部氧化的溫度與時長進行設定；

第三步：通過離子注入技術在有源層(1)一端形成P型阱區(5)，在有源層(1)的另一端形成N型阱區(6)；

第四步：去除有源層(1)表面的所有介質并在有源層(1)表面重新生長一層柵介質(7)；

第五步：在柵介質層(7)表面淀積多晶硅，反刻多晶硅形成多晶硅柵(8)，所述多晶硅柵(8)與P型阱區(5)有交疊且覆蓋介質槽(4)底部；

第六步：通過離子注入在P型阱區(5)表面并列形成N型重摻雜陰極接觸區(9)和P型重摻雜陰極接觸區(10)，所述N型重摻雜陰極接觸區(9)位于靠近多晶硅柵(8)的一側；在N型阱區(6)表面形成P型陽極接觸區(11)；

第七步：在N型重摻雜陰極接觸區(9)和P型重摻雜陰極接觸區(10)表面形成陰極金屬，在多晶硅柵(8)表面形成柵極金屬，在P型陽極接觸區(11)表面形成陽極金屬。

2.根據權利要求1所述的一種LIGBT器件的制造方法，其特征在于，第二步中所述通過局部氧化工藝在有源層(1)表面形成的介質槽(4)在器件縱向方向上不連續，所述器件縱向方向為同時垂直于器件橫向方向和垂直方向的第三維度方向。