[發(fā)明專利]一種基于準(zhǔn)Y源阻抗網(wǎng)絡(luò)的半橋逆變器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810205856.0 | 申請(qǐng)日： | 2018-03-13 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN108418458A | 公開(kāi)（公告）日： | 2018-08-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 歐祖宏;張桂東;陳思哲;李惜玉;章云 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 廣東工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H02M7/5387 | 分類號(hào)： | H02M7/5387 |
| 代理公司： | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 張春水;唐京橋 |
| 地址： | 510060 廣東*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電感 半橋逆變器 電容 源阻抗 電路 輸出電壓 一級(jí)升壓電路 單向逆變器 開(kāi)關(guān)管模塊 直通占空比 二極管 升壓 第一開(kāi)關(guān) 電路結(jié)構(gòu) 范圍控制 三個(gè)繞組 效率降低 運(yùn)行過(guò)程 直流電源 耦合電感 網(wǎng)絡(luò) 開(kāi)關(guān)管 寬電壓 三繞組 誤觸發(fā) 斷路 減小 匝數(shù) 變壓器 開(kāi)通 | ||
1.一種基于準(zhǔn)Y源阻抗網(wǎng)絡(luò)的半橋逆變器，其特征在于，包括：直流電源、第一開(kāi)關(guān)管模塊、第二開(kāi)關(guān)管模塊、第一電感、第二電感、第三電感、第一電容、第二電容、第三電容和二極管；
所述第一電感、所述第二電感和所述第三電感組成三繞組耦合電感，所述第一電感的第一端、所述第二電感的第一端和所述第三電感的第一端為同名端；
所述直流電源的正極分別與所述第一電容的第一端、所述第三電容的第二端和所述二極管的陽(yáng)極電連接；
所述第一電容的第二端與所述第二電容的第一端電連接，所述第一電容和所述第二電容的公共端與所述負(fù)載的第一端電連接；
所述二極管的陰極與所述第一電感的第一端電連接；
所述第一電感的第二端分別與所述第二電感的第一端和所述第三電感的第一端電連接；
所述第二電感的第二端與所述第三電容的第一端電連接；
所述第三電感的第二端與所述第一開(kāi)關(guān)管模塊的第一端電連接；
所述第一開(kāi)關(guān)管模塊的第二端與所述第二開(kāi)關(guān)管模塊的第一端電連接，所述第一開(kāi)關(guān)管模塊和所述第二開(kāi)關(guān)管模塊的公共端與所述負(fù)載的第二端電連接；
所述直流電源的負(fù)極分別與所述第二電容的第二端和所述第二開(kāi)關(guān)管模塊的第二端電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于準(zhǔn)Y源阻抗網(wǎng)絡(luò)的半橋逆變器，其特征在于，所述第一電感、所述第二電感和所述第三電感共用一個(gè)鐵芯。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種基于準(zhǔn)Y源阻抗網(wǎng)絡(luò)的半橋逆變器，其特征在于，所述第一開(kāi)關(guān)管模塊由一個(gè)開(kāi)關(guān)管組成；
所述第二開(kāi)關(guān)管模塊由一個(gè)開(kāi)關(guān)管組成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種基于準(zhǔn)Y源阻抗網(wǎng)絡(luò)的半橋逆變器，其特征在于，所述第一開(kāi)關(guān)管模塊由至少兩個(gè)開(kāi)關(guān)管并聯(lián)組成；
所述第二開(kāi)關(guān)管模塊由至少兩個(gè)開(kāi)關(guān)管并聯(lián)組成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種基于準(zhǔn)Y源阻抗網(wǎng)絡(luò)的半橋逆變器，其特征在于，所述第一開(kāi)關(guān)管模塊和所述第二開(kāi)關(guān)管模塊中的開(kāi)關(guān)管均為NMOS，其中，第一開(kāi)關(guān)管模塊的第一端為第一開(kāi)關(guān)管模塊內(nèi)NMOS的漏極，第二開(kāi)關(guān)管模塊的第一端為第二開(kāi)關(guān)管模塊內(nèi)NMOS的漏極，第一開(kāi)關(guān)管模塊的第二端為第一開(kāi)關(guān)管模塊內(nèi)NMOS的源極，第二開(kāi)關(guān)管模塊的第二端為第二開(kāi)關(guān)管模塊內(nèi)NMOS的源極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種基于準(zhǔn)Y源阻抗網(wǎng)絡(luò)的半橋逆變器，其特征在于，所述第一開(kāi)關(guān)管模塊和所述第二開(kāi)關(guān)管模塊中的開(kāi)關(guān)管均為IGBT，其中，第一開(kāi)關(guān)管模塊的第一端為第一開(kāi)關(guān)管模塊內(nèi)IGBT的集電極，第二開(kāi)關(guān)管模塊的第一端為第二開(kāi)關(guān)管模塊內(nèi)IGBT的集電極，第一開(kāi)關(guān)管模塊的第二端為第一開(kāi)關(guān)管模塊內(nèi)IGBT的發(fā)射極，第二開(kāi)關(guān)管模塊的第二端為第二開(kāi)關(guān)管模塊內(nèi)IGBT的發(fā)射極。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種基于準(zhǔn)Y源阻抗網(wǎng)絡(luò)的半橋逆變器，其特征在于，所述第一電容、所述第二電容和所述第三電容均為有極性電容，其中，所述第一電容、所述第二電容和所述第三電容的第一端均為所述有極性電容的正端，所述第一電容、所述第二電容和所述第三電容的第二端均為所述有極性電容的負(fù)端。
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H02M7-00 交流功率輸入變換為直流功率輸出；直流功率輸入變換為交流功率輸出
H02M7-02 .不可逆的交流功率輸入變換為直流功率輸出
H02M7-42 .不可逆的直流功率輸入變換為交流功率輸出的
H02M7-66 .帶有可逆變的
H02M7-68 ..用靜態(tài)變換器的
H02M7-86 ..用動(dòng)態(tài)變換器的
