[發明專利]基于納米結構的光學堆及具有該光學堆的顯示器有效
| 申請號: | 201810205378.3 | 申請日: | 2012-11-02 |
| 公開(公告)號: | CN108594338B | 公開(公告)日: | 2019-11-26 |
| 發明(設計)人: | 代海霞;邁克爾·A·斯貝德;杰弗瑞·沃克 | 申請(專利權)人: | 凱姆控股有限公司 |
| 主分類號: | G02B1/11 | 分類號: | G02B1/11;G06F3/041;G06F3/045;H01B1/16;B82Y20/00 |
| 代理公司: | 11006 北京律誠同業知識產權代理有限公司 | 代理人: | 王玉雙;祁建國<國際申請>=<國際公布> |
| 地址: | 維爾京群島*** | 國省代碼: | 英屬維爾京群島;VG |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光學堆 納米結構 透明導電膜 顯示設備 漫反射 顯示器 | ||
1.光學堆,包括:
至少一個納米結構層;
至少一個基底,與所述納米結構層相鄰,其中所述納米結構層包括多個導電納米結構,以及當從所述光學堆的入射光側觀察時,所述入射光的漫反射小于所述入射光的6%;以及
位于所述納米結構層中的導電區域和非導電區域,所述導電區域具有第一片電阻,所述非導電區域具有第二片電阻,其中所述第二片電阻至少比所述第一片電阻大103倍;
其中所述納米結構層還包括嵌有所述多個導電納米結構的絕緣介質,所述絕緣介質為HPMC,所述多個導電納米結構為銀納米線,以及所述HPMC與所述多個導電納米結構的重量比為1:1,所述納米結構層具有小于100ohms/sq的該第一片電阻;
其中所述光學堆被定向,以使得所述基底比所述多個導電納米結構更鄰近于所述入射光,還包括插設在所述基底與所述納米結構層之間的上涂覆層,所述上涂覆層具有1.5或更小的折射率。
2.如權利要求1所述的光學堆,其中各納米結構不具有有機涂覆層或具有低折射率有機涂覆層。
3.如權利要求1所述的光學堆,其中所述上涂覆層與所述絕緣介質為相同的材料。
4.如權利要求3所述的光學堆,其中所述上涂覆層為具有1.45或更小的折射率的低折射率OCA層。
5.如權利要求1-3中任一項所述的光學堆,還包括直接位于所述納米結構層之下的下涂覆層,其中所述下涂覆層的折射率高于所述絕緣介質的折射率。
6.如權利要求5所述的光學堆,其中所述下涂覆層具有至少1.65的折射率。
7.如權利要求6所述的光學堆,其中所述下涂覆層包括TiO2、聚酰亞胺、SiO2或ZnO2。
8.如權利要求5所述的光學堆,還包括最外側覆蓋件層,所述最外側覆蓋件層最鄰近于所述入射光并具有至少1.17的折射率。
9.如權利要求8所述的光學堆,其中所述最外側覆蓋件層為TiO2層。
10.一種顯示器,包括如權利要求1-9中任一項所述的光學堆以及LCD模塊,其中所述光學堆和所述LCD模塊限定空間,其中所述空間填充有具有大于1的折射率的透明光學結合材料或折射率流體。
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