[發明專利]防靜電金屬氧化物半導體場效應管結構

有效

• 申請號: 201810204910.X
• 申請日: 2018-03-13
• 公開（公告）號: CN110277384B
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發明（設計）人: 孫俊
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 鄧云鵬

本發明涉及一種防靜電金屬氧化物半導體場效應管結構，包括防靜電主體結構和從金屬氧化物半導體場效應管，所述防靜電主體結構包括：主金屬氧化物半導體場效應管；第一可控硅，所述第一可控硅的陽極連接所述主金屬氧化物半導體場效應管的漏極，所述第一可控硅的陰極和控制極連接所述主金屬氧化物半導體場效應管的源極；第二可控硅，所述第二可控硅的陽極連接所述主金屬氧化物半導體場效應管的漏極，所述第二可控硅的陰極連接所述主金屬氧化物半導體場效應管的柵極，所述第二可控硅的控制極連接所述主金屬氧化物半導體場效應管的源極或柵極。本發明可以避免ESD應力到來時漏端與柵端的耦合電壓將柵氧擊穿，因此可以獲得更高的ESD防護能力。

技術領域

本發明涉及防靜電的保護裝置，特別是涉及一種防靜電金屬氧化物半導體場效應管結構。

背景技術

靜電放電是在我們生活中普遍存在的自然現象，但靜電放電時在短時間內產生的大電流，會對集成電路產生致命的損傷，是集成電路生產應用中造成失效的重要問題。

傳統的靜電釋放(ESD)防護結構，主要是把ESD特性加以考慮而忽略了器件本身的特性。

發明內容

基于此，有必要提供一種新型的防靜電金屬氧化物半導體場效應管結構。

一種防靜電金屬氧化物半導體場效應管結構，包括防靜電主體結構和從金屬氧化物半導體場效應管，所述防靜電主體結構包括：主金屬氧化物半導體場效應管；第一可控硅，所述第一可控硅的陽極連接所述主金屬氧化物半導體場效應管的漏極，所述第一可控硅的陰極和控制極連接所述主金屬氧化物半導體場效應管的源極；第二可控硅，所述第二可控硅的陽極連接所述主金屬氧化物半導體場效應管的漏極，所述第二可控硅的陰極連接所述主金屬氧化物半導體場效應管的柵極，所述第二可控硅的控制極連接所述主金屬氧化物半導體場效應管的源極或柵極。

在其中一個實施例中，所述主金屬氧化物半導體場效應管和從金屬氧化物半導體場效應管是LDMOSFET。

在其中一個實施例中，所述第一可控硅和第二可控硅是SCR-LDMOSFET。

在其中一個實施例中，包括襯底上的：第一阱區、第二阱區、第一摻雜區及第二摻雜區，所述第一摻雜區位于所述第一阱區和第二阱區之間，所述第二阱區位于所述第一摻雜區和第二摻雜區之間，所述第一摻雜區和第二摻雜區具有第一導電類型，所述第一阱區和第二阱區具有第二導電類型，所述第一導電類型為與所述第二導電類型相反的導電類型；所述第一阱區、第二阱區及第二摻雜區內設有第一引出區，所述第一摻雜區和第二阱區內設有第二引出區，所述第一引出區具有第一導電類型，所述第二引出區具有第二導電類型，所述第二阱區設有兩個第一引出區、所述第二阱區內的第二引出區位于這兩個第一引出區之間；所述第一阱區和第一摻雜區的交界處、所述第一摻雜區和第二阱區的交界處、所述第二阱區和第二摻雜區的交界處均形成有多晶硅柵極；所述第一阱區內的第一引出區、所述第一阱區、所述第一摻雜區及所述第一摻雜區內的第二引出區作為所述第二可控硅，所述第一摻雜區內的第二引出區作為所述第二可控硅的陽極，所述第一阱區內的第一引出區作為所述第二可控硅的陰極，所述第一阱區和第一摻雜區的交界處的多晶硅柵極作為所述第二可控硅的控制極；所述第一摻雜區內的第二引出區、所述第一摻雜區、所述第二阱區及所述第二阱區內靠近所述第一摻雜區的第一引出區作為所述第一可控硅，所述第一摻雜區內的第二引出區作為所述第一可控硅的陽極，所述第二阱區內靠近所述第一摻雜區的第一引出區作為所述第一可控硅的陰極，所述第二阱區和第一摻雜區的交界處的多晶硅柵極作為所述第一可控硅的控制極；所述第二阱區內靠近所述第二摻雜區的第一引出區作為所述主金屬氧化物半導體場效應管的源極，所述第二摻雜區內的第一引出區作為所述主金屬氧化物半導體場效應管的漏極，所述第二阱區和第二摻雜區交界處的多晶硅柵極作為所述主金屬氧化物半導體場效應管的柵極。