[發明專利]半導體裝置及電力變換裝置有效
| 申請號： | 201810203934.3 | 申請日： | 2018-03-13 |
| 公開（公告）號： | CN108574015B | 公開（公告）日： | 2021-07-06 |
| 發明（設計）人： | 田中香次 | 申請（專利權）人： | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/861 | 分類號： | H01L29/861;H01L29/06;H02M1/00 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;張天舒 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 電力 變換 | ||
1.一種半導體裝置，其特征在于，具有：
n型漂移層；
第一p型陽極層，其設置于所述n型漂移層的表面；
至少1個第二p型陽極層，其選擇性地設置于所述第一p型陽極層的表面，包含施主雜質以及受主雜質，且與所述第一p型陽極層相比受主雜質濃度低；
n型緩沖層，其設置于所述n型漂移層的背面；以及
n型陰極層以及p型陰極層，它們以在俯視觀察時彼此相鄰的方式設置于所述n型緩沖層的表面，
所述n型陰極層的厚度大于或者等于所述p型陰極層的厚度，
所述第一p型陽極層的厚度大于或等于所述第二p型陽極層的厚度，
所述n型陰極層的施主雜質濃度大于或等于所述p型陰極層的受主雜質濃度，
所述第一p型陽極層的受主雜質濃度大于或等于所述第二p型陽極層的施主雜質濃度，
所述第二p型陽極層的受主雜質濃度大于或等于所述第二p型陽極層的施主雜質濃度，
所述第二p型陽極層的施主雜質濃度大于或等于所述n型漂移層的施主雜質濃度，
所述第二p型陽極層設置于與所述n型陰極層相對的位置，
所述第二p型陽極層的寬度小于所述n型陰極層。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，
設置有多個所述第二p型陽極層。
3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，
反復設置所述第二p型陽極層、所述n型陰極層以及所述p型陰極層。
4.一種電力變換裝置，其具有：
主變換電路，其具有權利要求1所述的半導體裝置，所述主變換電路將被輸入進來的電力進行變換而輸出；以及
控制電路，其將對所述主變換電路進行控制的控制信號輸出至所述主變換電路。
5.一種半導體裝置，其特征在于，具有：
n型漂移層；
第一p型陽極層，其設置于所述n型漂移層的表面；
至少1個第二p型陽極層，其選擇性地設置于所述第一p型陽極層的表面，包含施主雜質以及受主雜質，且與所述第一p型陽極層相比受主雜質濃度低；
n型緩沖層，其設置于所述n型漂移層的背面；以及
n型陰極層以及p型陰極層，它們以在俯視觀察時彼此相鄰的方式設置于所述n型緩沖層的表面，
所述n型陰極層的厚度大于或者等于所述p型陰極層的厚度，
所述第一p型陽極層的厚度大于或等于所述第二p型陽極層的厚度，
所述n型陰極層的施主雜質濃度大于或等于所述p型陰極層的受主雜質濃度，
所述第一p型陽極層的受主雜質濃度大于或等于所述第二p型陽極層的施主雜質濃度，
所述第二p型陽極層的受主雜質濃度大于或等于所述第二p型陽極層的施主雜質濃度，
所述第二p型陽極層的施主雜質濃度大于或等于所述n型漂移層的施主雜質濃度，
所述第二p型陽極層設置于分別與所述n型陰極層以及所述p型陰極層相對的位置，
在與所述n型陰極層相對的位置設置的所述第二p型陽極層的寬度小于在與所述p型陰極層相對的位置設置的所述第二p型陽極層的寬度。
6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于，
設置有多個在與所述n型陰極層相對的位置設置的所述第二p型陽極層。
7.根據權利要求5或6所述的半導體裝置，其特征在于，
反復設置所述第二p型陽極層、所述n型陰極層以及所述p型陰極層。
8.一種電力變換裝置，其具有：
主變換電路，其具有權利要求5所述的半導體裝置，所述主變換電路將被輸入進來的電力進行變換而輸出；以及
控制電路，其將對所述主變換電路進行控制的控制信號輸出至所述主變換電路。
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