[發(fā)明專利]一種薄膜晶體管及陣列基板的測量方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810202808.6
• 申請日: 2018-03-13
• 公開（公告）號: CN108417507A
• 公開（公告）日: 2018-08-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃樂
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管及陣列基板的測量方法，包括：將薄膜晶體管放置在測量機臺上的指定區(qū)域；確定并記錄所述薄膜晶體管中漏極、源極和柵極的位置；分別采用目標(biāo)激光除去所述漏極周圍柵極金屬線與源極金屬線上方的鈍化層，進(jìn)而出現(xiàn)裸露柵極金屬線與裸露源極金屬線；使用三根測量探針分別接觸漏極、裸露柵極金屬線、裸露源極金屬線；完成對所述薄膜晶體管的電學(xué)特性測量。本發(fā)明通過采用鐳射激光除掉源極金屬線及柵極金屬線上方的鈍化層，使得源極金屬線與源極探針直接接觸、柵極金屬線與柵極探針直接接觸，進(jìn)而在電極端子受損的前提下也能完成薄膜晶體管的電學(xué)特性測量。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種薄膜晶體及陣列基板的測量方法。

背景技術(shù)

薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，簡稱TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射、制造成本相對較低等特點，在當(dāng)前的平板顯示器市場占據(jù)了主導(dǎo)地位。TFT-LCD陣列基板是TFT-LCD的重要部件之一。在陣列基板上形成有橫縱交叉的柵線和數(shù)據(jù)線，限定多個像素單元，每個像素單元包括薄膜晶體管(ThinFilmTransistor，簡稱TFT)、像素電極和公共電極，TFT的漏電極和像素電極電性連接，源電極和數(shù)據(jù)線電性連接，柵電極和柵線電性連接。數(shù)據(jù)線上傳輸?shù)南袼仉妷和ㄟ^薄膜晶體管輸出至像素電極，像素電極與公共電極配合，形成驅(qū)動液晶分子偏轉(zhuǎn)的驅(qū)動電場，實現(xiàn)特定灰階的顯示。

可見，TFT的電學(xué)特性直接影響TFT-LCD的顯示品質(zhì)，因此，在實際生產(chǎn)過程中，都需要對TFT的電學(xué)特性進(jìn)行測量。其中，TFT的電學(xué)特性主要包括Ion(TFT工作電流)，Ioff(反向截止電流)，Vth(開啟電壓)，Mobility(遷移率)，每一個參數(shù)都非常重要。如圖1所示，測量TFT電學(xué)特性的設(shè)備在測量時需要將對應(yīng)的探針3與電極端子2接觸，才能測量出電學(xué)特性值，如柵線(Gate)探針32與柵極端子12接觸，數(shù)據(jù)(Data)探針31與源極端子11接觸，像素(Pixel)探針33與漏電極或像素電極接觸。通過Gate探針32加載0～20V，Data探針31加載15V電信號，進(jìn)而通過Pixel探針33輸出的信號獲取TFT的電學(xué)特性值。目前實驗室解析各種顯示器亮度不均勻(mura)及顯示不良均需要測量異常區(qū)域TFT的電學(xué)特性曲線，進(jìn)而根據(jù)TFT的電學(xué)特性曲線特征推測所述TFT可能有異常的膜層，從而對推測異常的膜層采用掃描電鏡進(jìn)行深入分析，找出顯示不良的根因。但是現(xiàn)有測量TFT電學(xué)特性曲線的方法具有以下特點：1、由于目前TFT在進(jìn)行電學(xué)特性的測量過程中必須要保留完整的柵極端子12和源極端子11，柵極端子12和源極端子11均稱為電極端子1，進(jìn)而通過測量探針3與柵極端子12及源極端子11的接觸，進(jìn)而實現(xiàn)TFT電學(xué)特性的測量，若是柵極端子12和源極端子11中的其中一個被破壞，就無法進(jìn)行TFT電學(xué)特性的測量；2、連接?xùn)艠O與柵極端子12之間的線路、連接源極與源極端子11之間的線路容易發(fā)生掛上和壓傷，進(jìn)而影響測量結(jié)果；3、若因樣片裂片失敗需要重新開單申請取樣的流程十分麻煩且耗時。因此，目前亟需一種能夠解決上述問題的薄膜晶體管的測量方法。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管及陣列基板的測量方法，以解決在現(xiàn)有薄膜晶體管電學(xué)特性測量中電極端子受損或金屬線路受損導(dǎo)致薄膜晶體管無法進(jìn)行電學(xué)特性測量的問題。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下：

根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種薄膜晶體管的測量方法，用于對薄膜晶體管的電學(xué)特性進(jìn)行測量，所述薄膜晶體管的測量方法包括：

步驟S10、將薄膜晶體管放置在測量機臺上的指定區(qū)域；

步驟S20、確定并記錄所述薄膜晶體管中漏極、源極和柵極的位置，所述柵極通過柵極金屬線與柵極端子相連，所述源極通過源極金屬線與源極端子相連；