[發明專利]低溫多晶硅、薄膜晶體管及陣列基板的制作方法在審
| 申請號： | 201810202160.2 | 申請日： | 2018-03-12 |
| 公開（公告）號： | CN108346562A | 公開（公告）日： | 2018-07-31 |
| 發明（設計）人： | 徐向陽 | 申請（專利權）人： | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L27/12;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市德力知識產權代理事務所 44265 | 代理人： | 林才桂;劉巍 |
| 地址： | 518132 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 低溫多晶硅 陣列基板 薄膜晶體管 非晶硅層 半透膜 制作 多晶硅層 緩沖層 掩模板 基板 低溫多晶硅薄膜晶體管 多晶硅薄膜晶體管 準分子激光退火 多晶硅結晶 襯底表面 干法刻蝕 電性能 多晶硅 圖案化 透光 產能 襯底 遮擋 釋放 制造 生產 | ||
【權利要求書】：
1.一種低溫多晶硅制作方法，其特征在于，包括：
提供基板，在所述基板上形成緩沖層；
在所述緩沖層上形成非晶硅層；
在半透膜掩模板的遮擋下對所述非晶硅層進行準分子激光退火處理，使所述非晶硅層轉變為多晶硅層；
所述半透膜掩模板包括透光的襯底和設于所述襯底表面的圖案化的半透膜。
2.如權利要求1所述的低溫多晶硅制作方法，其特征在于，所述圖案化的半透膜對應于非晶硅層的非硅島區。
3.如權利要求1所述的低溫多晶硅制作方法，其特征在于，所述緩沖層厚度為1000埃～2000埃。
4.如權利要求1所述的低溫多晶硅制作方法，其特征在于，所述緩沖層為SiNx/SiO2雙層結構。
5.如權利要求1所述的低溫多晶硅制作方法，其特征在于，所述緩沖層為SiNx/SiNO/SiO2三層結構。
6.如權利要求1所述的低溫多晶硅制作方法，其特征在于，所述非晶硅層厚度為300埃～800埃。
7.如權利要求1所述的低溫多晶硅制作方法，其特征在于，所述襯底為透光的大理石襯底。
8.一種低溫多晶硅薄膜晶體管制作方法，其特征在于，應用如權利要求1～7中任一項所述的低溫多晶硅制作方法制作低溫多晶硅層。
9.一種低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板制作方法，其特征在于，應用如權利要求8所述的低溫多晶硅薄膜晶體管制作方法制作低溫多晶硅薄膜晶體管。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳市華星光電技術有限公司，未經深圳市華星光電技術有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810202160.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
