[發明專利]由活性硅烷對芳族的C-O鍵、C-N鍵和C-S鍵的無過渡金屬還原裂解有效
| 申請號: | 201810200399.6 | 申請日: | 2013-10-02 |
| 公開(公告)號: | CN108409518B | 公開(公告)日: | 2021-10-12 |
| 發明(設計)人: | R·H·格魯布斯;亞歷克斯·費多羅夫;安東·陶拓夫;尼古拉斯·A·斯韋什爾 | 申請(專利權)人: | 加州理工學院 |
| 主分類號: | C07C1/22 | 分類號: | C07C1/22;C07C15/02;C07C15/04;C07C15/06;C07C15/14;C07C15/16;C07C15/18;C07C15/24;C07C37/055;C07C37/50;C07C39/15;C07C209/28;C07C209/62;C07C21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 活性 硅烷 過渡 金屬 還原 裂解 | ||
1.一種用于減少含有碳-硫鍵的芳族基質中的硫含量的方法,所述方法包括在足以用碳-氫鍵代替碳-硫鍵的條件下,使所述含有碳-硫鍵的芳族基質單獨地或作為混合物的一部分與化學體系接觸,所述化學體系包含:
(a)至少一種有機硅烷,所述有機硅烷具有至少一個硅-氫(Si-H)鍵,和
(b)至少一種強堿,所述強堿包括醇鉀、醇銫或氫化鉀,以及任選地
(c)至少一種分子氫給體化合物、分子氫或兩者;
其中所述芳族基質的芳環部分是任選地取代的噻吩、2,3-二氫苯并噻吩、苯并噻吩或二苯并噻吩或者任選地取代的苯硫醚、苯硫酚、萘硫醚,或其組合;并且
其中具有至少一個硅-氫(Si-H)鍵的所述至少一種有機硅烷包含聚甲基氫硅氧烷或者式(I)或式(II)的有機硅烷:
(R)4-mSi(H)m (I) R—[—SiH(R)-O—]n—R (II)
其中:m是1、2或3;
n是10至100;并且
R獨立地是任選地取代的C1-12烷基、C6-20芳基、C7-30烷芳基、C7-30芳烷基、-O-C1-12烷基、-O-C6-20芳基、-O-C7-30烷芳基、-O-C7-30芳烷基,并且,如果被取代,那么取代基是鹵素或取代基連接至包括氧化鋁、二氧化硅或碳的不可溶的或微溶的支持介質,
其中所述化學體系任選地包含苯、甲苯、二甲苯、均三甲苯、萘、甲基環己烷或二噁烷溶劑。
2.根據權利要求1所述的方法,其中所述碳-硫鍵對于所述芳族基質的芳環部分是環外的。
3.根據權利要求1所述的方法,其中所述碳-硫鍵對于所述芳族基質的芳環部分是環內的。
4.根據權利要求1所述的方法,其中所述芳族基質包含至少一個脂肪族碳-硫鍵。
5.根據權利要求1所述的方法,其中至少一種有機硅烷包含聚甲基氫硅氧烷或者式(I)的烷基有機硅烷、芳基有機硅烷或混合的芳基烷基有機硅烷:
(R)4-mSi(H)m (I)
其中:m是1或2;并且
R獨立地是C1-12烷基、C6-20芳基、C7-30烷芳基或C7-30芳烷基。
6.根據權利要求1所述的方法,其中所述至少一種有機硅烷是(R)3SiH,其中R是C1-6烷基。
7.根據權利要求1所述的方法,其中所述至少一種強堿包括氫化鉀。
8.根據權利要求1所述的方法,其中所述至少一種強堿包括醇鉀。
9.根據權利要求1所述的方法,其中所述至少一種強堿包括醇銫。
10.根據權利要求1所述的方法,其中所述醇鉀或醇銫包含C1-12直鏈的或支鏈的烷基部分或者C5-10芳基或雜芳基的部分。
11.根據權利要求1所述的方法,其中所述醇鉀包括甲醇鉀、乙醇鉀、丙醇鉀、丁醇鉀或2-乙基-己醇鉀;所述醇銫包括甲醇銫、乙醇銫、丙醇銫、丁醇銫或2-乙基-己醇銫。
12.根據權利要求8所述的方法,其中所述醇鉀是叔丁醇鉀。
13.根據權利要求1所述的方法,其中所述至少一種有機硅烷是三乙基硅烷并且所述至少一種強堿是叔丁醇鉀。
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