[發明專利]半導體模塊的制造方法及半導體模塊

有效

• 申請號: 201810200233.4
• 申請日: 2018-03-12
• 公開（公告）號: CN109216299B
• 公開（公告）日: 2023-10-27
• 發明（設計）人: 武藤邦治;板東晃司
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L23/36
• 分類號: H01L23/36;H01L21/56
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 熊傳芳;蘇卉

1.一種半導體模塊的制造方法，具有以下的工序：

(a)準備第一半導體芯片，所述第一半導體芯片內置有第一功率晶體管，并具有第一面和該第一面的相反側的第二面，所述第一半導體芯片的所述第一面具備與所述第一功率晶體管電連接的第一端子，所述第一半導體芯片的所述第二面形成有與所述第一功率晶體管電連接的第二端子；

(b)準備第二半導體芯片，所述第二半導體芯片內置有第二功率晶體管，并具有第一面和該第一面的相反側的第二面，所述第二半導體芯片的所述第一面具備與所述第二功率晶體管電連接的第三端子，所述第二半導體芯片的所述第二面形成有與所述第二功率晶體管電連接的第四端子；

(c)在所述(a)工序之后，在具有第一面和該第一面的相反側的第二面的第一芯片搭載部上，以所述第一芯片搭載部的所述第一面與所述第一半導體芯片的所述第二面相向的方式，經由導電性的第一接合材料而搭載所述第一半導體芯片；

(d)在所述(b)工序之后，在具有第一面和該第一面的相反側的第二面的第二芯片搭載部上，以所述第二芯片搭載部的所述第一面與所述第二半導體芯片的所述第二面相向的方式，經由導電性的第二接合材料而搭載所述第二半導體芯片；

(e)在所述(c)以及(d)工序之后，經由第一導電性部件將所述第一半導體芯片的所述第一端子與所述第二芯片搭載部電連接；

(f)在所述(c)以及(d)工序之后，經由第二導電性部件將所述第二半導體芯片的所述第三端子與引線電連接；

(g)在所述(e)以及(f)工序之后，利用具有第一面和該第一面的相反側的第二面的密封體以使所述第一芯片搭載部的所述第二面和所述第二芯片搭載部的所述第二面分別從所述密封體的所述第二面露出的方式將所述第一半導體芯片、所述第二半導體芯片、所述第一芯片搭載部的一部分、所述第二芯片搭載部的一部、所述第一導電性部件、所述第二導電性部件、所述引線的一部分密封；

(h)在所述(g)工序之后，在所述密封體的所述第二面上以覆蓋所述第一芯片搭載部的所述第二面和所述第二芯片搭載部的所述第二面的方式粘貼絕緣層；以及

(i)在所述(h)工序之后，在所述絕緣層上粘貼傳熱材料層，

其中，所述(i)工序之后，在俯視圖中所述傳熱材料層的區域被包含于所述絕緣層的區域中。

2.根據權利要求1所述的半導體模塊的制造方法，其中，

在所述(i)工序之后，在透視俯視圖中所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片各自位于所述傳熱材料層的區域的內側。

3.根據利要求1所述的半導體模塊的制造方法，其中，

在所述(g)工序之后且所述(h)工序之前，具有對從所述密封體露出的多根所述引線的各引線的一部分進行切割、成形的工序。

4.根據利要求1所述的半導體模塊的制造方法，其中，

在俯視圖中所述密封體具有分別從所述密封體的所述第一面貫穿至所述第二面的第一貫通孔以及第二貫通孔，

所述絕緣層以及所述傳熱材料層位于所述第一貫通孔與所述第二貫通孔之間。

5.根據利要求4所述的半導體模塊的制造方法，其中，

在所述第一貫通孔和所述第二貫通孔中分別安裝螺栓部件，

通過所述螺栓部件將所述密封體與散熱板接合。

6.根據利要求5所述的半導體模塊的制造方法，其中，

在俯視圖中所述絕緣層和所述傳熱材料層跨假想線的兩側而配置，所述假想線是連結所述第一貫通孔和所述第二貫通孔各自的中心的線。

7.根據利要求6所述的半導體模塊的制造方法，其中，

在俯視圖中沿所述假想線的方向所配置的所述絕緣層的一條邊與所述假想線之間的距離和所述絕緣層的另一條邊與所述假想線之間距離相同。

8.根據利要求1所述的半導體模塊的制造方法，其中，

所述半導體模塊還具備對所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片進行控制的控制芯片，

在透視俯視圖中所述控制芯片位于所述絕緣層的區域和所述傳熱材料層的區域。