[發(fā)明專利]光學成像系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810199604.1 | 申請日: | 2018-03-12 |
| 公開(公告)號: | CN108873249B | 公開(公告)日: | 2020-06-02 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張永明;賴建勛;唐乃元 | 申請(專利權)人: | 先進光電科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G02B13/00 | 分類號: | G02B13/00;G02B13/18 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
| 地址: | 中國臺灣中部科學工業(yè)*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光學 成像 系統(tǒng) | ||
1.一種光學成像系統(tǒng),其特征在于,具有屈折力的透鏡僅為八枚,由物側至像側依次包括:
一第一透鏡,具有負屈折力;
一第二透鏡,具有屈折力;
一第三透鏡,具有屈折力;
一第四透鏡,具有屈折力;
一第五透鏡,具有屈折力;
一第六透鏡,具有屈折力;
一第七透鏡,具有屈折力;
一第八透鏡,具有屈折力;
一第一成像面,其為一特定垂直于光軸的可見光像平面并且其中心視場于第一空間頻率的離焦調制轉換對比轉移率有最大值;以及
一第二成像面,其為一特定垂直于光軸的紅外光像平面并且其中心視場于第一空間頻率的離焦調制轉換對比轉移率有最大值;
所述第二透鏡至所述第八透鏡的屈折力分別為正正負正正正負、負正正正負正正或者負正負正負正正,所述光學成像系統(tǒng)于所述第一成像面上具有一最大成像高度HOI,所述光學成像系統(tǒng)的焦距為f,所述光學成像系統(tǒng)的入射光瞳直徑為HEP,所述第一透鏡物側面至所述第一成像面于光軸上具有一距離HOS,所述光學成像系統(tǒng)的最大可視角度的一半為HAF,所述第一成像面與所述第二成像面間于光軸上的距離為FS,其滿足下列條件:f/HEP=1.2;55deg≤HAF≤100deg以及10μm≤│FS│≤50μm。
2.如權利要求1所述的光學成像系統(tǒng),其特征在于,所述紅外光的波長介于700nm至1300nm以及所述第一空間頻率以SP1表示,其滿足下列條件:SP1≤440cycles/mm。
3.如權利要求1所述的光學成像系統(tǒng),其特征在于,以所述第一透鏡至所述第八透鏡中任一透鏡的任一表面與光軸的交點為起點,沿著所述表面的輪廓直到所述表面上距離光軸1/2入射光瞳直徑的垂直高度處的坐標點為止,前述兩點間的輪廓曲線長度為ARE,其滿足下列條件:0.9993≤2(ARE/HEP)≤1.0295。
4.如權利要求1所述的光學成像系統(tǒng),其特征在于,所述第一透鏡至所述第八透鏡中任一透鏡的任一表面的最大有效半徑以EHD表示,以所述第一透鏡至所述第八透鏡中任一透鏡的任一表面與光軸的交點為起點,沿著所述表面的輪廓直到所述表面的最大有效半徑處為終點,前述兩點間的輪廓曲線長度為ARS,其滿足下列公式:0.9≤ARS/EHD≤2.0。
5.如權利要求1所述的光學成像系統(tǒng),其特征在于,以所述第八透鏡的物側面于光軸上的交點為起點,沿著所述表面的輪廓直到所述表面上距離光軸1/2入射光瞳直徑的垂直高度處的坐標點為止,前述兩點間的輪廓曲線長度為ARE81,以所述第八透鏡的像側面于光軸上的交點為起點,沿著所述表面的輪廓直到所述表面上距離光軸1/2入射光瞳直徑的垂直高度處的坐標點為止,前述兩點間的輪廓曲線長度為ARE82,第八透鏡于光軸上的厚度為TP8,其滿足下列條件:0.05≤ARE81/TP8≤35;以及0.05≤ARE82/TP8≤35。
6.如權利要求1所述的光學成像系統(tǒng),其特征在于,所述光學成像系統(tǒng)于成像時的TV畸變?yōu)門DT,所述光學成像系統(tǒng)的正向子午面光扇的最長工作波長通過入射光瞳邊緣并入射在所述第一成像面上0.7HOI處的橫向像差以PLTA表示,其正向子午面光扇的最短工作波長通過入射光瞳邊緣并入射在所述第一成像面上0.7HOI處的橫向像差以PSTA表示,負向子午面光扇的最長工作波長通過入射光瞳邊緣并入射在所述第一成像面上0.7HOI處的橫向像差以NLTA表示,負向子午面光扇的最短工作波長通過入射光瞳邊緣并入射在所述第一成像面上0.7HOI處的橫向像差以NSTA表示,弧矢面光扇的最長工作波長通過入射光瞳邊緣并入射在所述第一成像面上0.7HOI處的橫向像差以SLTA表示,弧矢面光扇的最短工作波長通過入射光瞳邊緣并入射在所述第一成像面上0.7HOI處的橫向像差以SSTA表示,其滿足下列條件:PLTA≤100微米;PSTA≤100微米;NLTA≤100微米;NSTA≤100微米;SLTA≤100微米;SSTA≤100微米;以及│TDT│100%。
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