[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置和半導(dǎo)體裝置的制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810199148.0 | 申請(qǐng)日： | 2018-03-12 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN108573950A | 公開（公告）日： | 2018-09-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 森田健士;加藤伸二郎;秋野勝;井村行宏 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 精工半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/522 | 分類號(hào)： | H01L23/522;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人： | 龐東成;崔立宇 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體裝置 氮化鈦膜 開口部 氮化硅膜 氧化膜 布線 俯視 防反射膜 氮化鈦 基板 制造 氧化硅膜 接地 焊盤部 腐蝕 配置 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
該半導(dǎo)體裝置具有：
基板；
布線，該布線設(shè)置于所述基板上；
氮化鈦膜，該氮化鈦膜設(shè)置于所述布線上；
氧化膜，該氧化膜設(shè)置于所述氮化鈦膜上；
氮化硅膜，該氮化硅膜設(shè)置于所述氧化膜上；和
焊盤部，該焊盤部形成在形成于所述氮化硅膜的第1開口部與形成于所述氮化鈦膜的第2開口部在俯視時(shí)重疊的位置、并且是形成于所述氧化膜的第3開口部的俯視內(nèi)側(cè)的位置，該焊盤部是所述布線露出而成的，
該半導(dǎo)體裝置在配置于所述第3開口部的俯視內(nèi)側(cè)的所述氮化鈦膜上相接地形成有所述氮化硅膜。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第1開口部與所述第2開口部在俯視時(shí)重疊的所述位置與所述第3開口部的內(nèi)壁的最短距離為0.8μm～9.0μm。
3.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，
該制造方法包括下述工序：
布線工序，該工序在基板上形成布線；
防反射膜形成工序，該工序在所述布線上形成氮化鈦膜；
第3開口部形成工序，該工序在所述氮化鈦膜上形成氧化膜并圖案化，由此形成貫通所述氧化膜并且在底面露出所述氮化鈦膜的第3開口部；
保護(hù)膜形成工序，該工序在所述氧化膜上和所述第3開口部上形成氮化硅膜；和
焊盤部形成工序，該工序利用相同的蝕刻氣體對(duì)所述氮化硅膜和所述氮化鈦膜連續(xù)地進(jìn)行蝕刻，由此在所述第3開口部的俯視內(nèi)側(cè)的位置設(shè)置貫通所述氮化硅膜和所述氮化鈦膜并且在底面露出所述布線的焊盤部。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在所述焊盤部形成工序中，在形成于所述氮化硅膜的第1開口部與形成于所述氮化鈦膜的第2開口部在俯視時(shí)重疊的位置與所述第3開口部的內(nèi)壁的最短距離為0.8μm～9.0μm的位置，設(shè)置焊盤部。
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