[發明專利]一種局域發射極同質結晶體硅雙面太陽電池結構

在審

• 申請號: 201810198947.6
• 申請日: 2018-03-12
• 公開（公告）號: CN108346706A
• 公開（公告）日: 2018-07-31
• 發明（設計）人: 黃海賓;周浪;袁吉仁;高超;岳之浩
• 申請（專利權）人: 南昌大學
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0687;H01L31/054
• 代理公司: 南昌新天下專利商標代理有限公司 36115
• 代理人: 施秀瑾

1.一種局域發射極同質結晶體硅雙面太陽電池結構，其特征是以n型晶體硅片（5）作為基底，其發射極面分為發射極-導電區域和鈍化-進光區域：發射極-導電區域由基底向外依次由重摻雜p型晶體硅發射極層（2）和金屬柵線I（1）構成，鈍化-進光區域由基底向外依次由重摻雜n型晶體硅場鈍化層I（4）和鈍化減反射層I（3）構成，這兩個區域交叉分布且不重疊；

其背電場面結構分為鈍化-進光區域和背電場-導電區域：鈍化-進光區域由基底向外依次為重摻雜n型晶體硅層II（6）、鈍化減反射層II（7）；背電場-導電區域由基底向外依次為重摻雜n型晶體硅層II（6）、金屬柵線II（8），這兩個區域交叉分布且不重疊。

2.根據權利要求1所述的一種局域發射極同質結晶體硅雙面太陽電池結構，其特征是所述的鈍化減反射層I（3）為氮化硅。

3.根據權利要求1所述的一種局域發射極同質結晶體硅雙面太陽電池結構，其特征是所述的發射極與重摻雜n型晶體硅場鈍化層I（4）之間進行絕緣處理。

4.根據權利要求1所述的一種局域發射極同質結晶體硅雙面太陽電池結構，其特征是所述的重摻雜n型晶體硅場鈍化層I（4）的厚度為1-300nm。

5.根據權利要求1所述的一種局域發射極同質結晶體硅雙面太陽電池結構，其特征是所述的鈍化減反射層II（7）為氮化硅。

6.根據權利要求1所述的一種局域發射極同質結晶體硅雙面太陽電池結構，其特征是所述的n型晶體硅片（5）為雙面制絨。

7.根據權利要求1所述的一種局域發射極同質結晶體硅雙面太陽電池結構，其特征是所述的n型晶體硅片（5）的雙面的制絨情況：一面采用小尺寸金字塔結構的絨面，另外一面采用大尺寸的金字塔絨面或者無金字塔的拋光結構。

8.根據權利要求1所述的一種局域發射極同質結晶體硅雙面太陽電池結構，其特征是有金屬柵線區域拋光或做大尺寸金字塔的絨面。

9.根據權利要求1所述的一種局域發射極同質結晶體硅雙面太陽電池結構，其特征是器件表面金屬柵線總覆蓋面積比例為1~3%。