[發明專利]一種具有局域非晶硅/晶體硅異質結特性的雙面太陽電池結構

在審

• 申請號: 201810198904.8
• 申請日: 2018-03-12
• 公開（公告）號: CN108461553A
• 公開（公告）日: 2018-08-28
• 發明（設計）人: 袁吉仁;周浪;黃海賓;高超;岳之浩
• 申請（專利權）人: 南昌大學
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068
• 代理公司: 南昌新天下專利商標代理有限公司 36115
• 代理人: 施秀瑾

1.一種具有局域非晶硅/晶體硅異質結特性的雙面太陽電池結構，其特征是以n型晶體硅片（6）作為基底，其發射極面分為發射極-導電區域和鈍化-進光區域：發射極-導電區域由基底向外依次由本征非晶硅鈍化層（3）、重摻雜p型非晶硅層（2）、金屬柵線I（1）構成，鈍化-進光區域由基底向外依次由重摻雜p型晶體硅場鈍化層I（5）、鈍化減反射層I（4）構成，這兩個區域交叉分布且不重疊；

其背電場面結構分為鈍化-進光區域和背電場-導電區域：鈍化-進光區域由基底向外依次為重摻雜晶體硅層（7）、鈍化減反射層II（8）；背電場-導電區域由基底向外依次為本征非晶硅鈍化層II（9）、重摻雜n型非晶硅（10）、金屬柵線II（11），這兩個區域交叉分布且不重疊。

2.根據權利要求1所述的一種具有局域非晶硅/晶體硅異質結特性的雙面太陽電池結構，其特征是金屬柵線I（1）與重摻雜p型非晶硅層（2）之間插入一過渡TCO層。

3.根據權利要求1所述的一種具有局域非晶硅/晶體硅異質結特性的雙面太陽電池結構，其特征是所述的鈍化減反射層I（4）為氮化硅。

4.根據權利要求1所述的一種具有局域非晶硅/晶體硅異質結特性的雙面太陽電池結構，其特征是所述的發射極與重摻雜p型晶體硅場鈍化層I（5）之間進行絕緣處理。

5.根據權利要求1所述的一種具有局域非晶硅/晶體硅異質結特性的雙面太陽電池結構，其特征是所述的重摻雜p型晶體硅場鈍化層I（5）的厚度為1-300nm。

6.根據權利要求1所述的一種具有局域非晶硅/晶體硅異質結特性的雙面太陽電池結構，其特征是所述的重摻雜晶體硅層（7）為p型導電。

7.根據權利要求1所述的一種具有局域非晶硅/晶體硅異質結特性的雙面太陽電池結構，其特征是所述的鈍化減反射層II（8）為氧化鋁+氮化硅復合薄膜。

8.根據權利要求1所述的一種具有局域非晶硅/晶體硅異質結特性的雙面太陽電池結構，其特征是所述的n型晶體硅片（6）為雙面制絨。

9.根據權利要求1所述的一種具有局域非晶硅/晶體硅異質結特性的雙面太陽電池結構，其特征是n型晶體硅片（6）的雙面的制絨情況：一面采用小尺寸金字塔結構的絨面，另外一面采用大尺寸的金字塔絨面或者無金字塔的拋光結構。

10.根據權利要求1所述的一種具有局域非晶硅/晶體硅異質結特性的雙面太陽電池結構，其特征是有金屬柵線區域拋光或做大尺寸金字塔的絨面。

11.根據權利要求1所述的一種具有局域非晶硅/晶體硅異質結特性的雙面太陽電池結構，其特征是器件表面金屬柵線總覆蓋面積比例為1~3%。