[發明專利]方硼石晶體、其制備方法和用途有效
| 申請號: | 201810196575.3 | 申請日: | 2018-03-09 |
| 公開(公告)號: | CN108950687B | 公開(公告)日: | 2020-08-28 |
| 發明(設計)人: | 龍西法;王祖建 | 申請(專利權)人: | 中國科學院福建物質結構研究所 |
| 主分類號: | C30B29/10 | 分類號: | C30B29/10;C30B9/12;G02F1/355 |
| 代理公司: | 北京知元同創知識產權代理事務所(普通合伙) 11535 | 代理人: | 劉元霞 |
| 地址: | 350002 *** | 國省代碼: | 福建;35 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 方硼石 晶體 制備 方法 用途 | ||
1.方硼石晶體的制備方法,其特征在于,該方法包括由預燒的方硼石和助熔劑混合,在熔鹽爐內經升溫、熔融、保溫、降溫后,用水沖洗,得到方硼石晶體;
所述預燒的方硼石以含鎂化合物與B2O3和/或H3BO3為原料,所述含鎂化合物為MgCl2,經稱重、混合、研磨、壓片,裝爐燒制而成;所述原料的用量按照Mg3B7O13Cl化學計量比分配,其中MgCl2過量0.5~3wt%,B2O3和/或H3BO3過量1.5~8wt%;
所述助熔劑為MgCl2與B2O3或H3BO3的混合物,其中MgCl2與B2O3或H3BO3的摩爾比為(1~5):1;
所述燒制的溫度為750~950℃,燒制時間為1.5~2.5h;
所述預燒的方硼石和助熔劑的摩爾比為1:(1~6);
所述升溫為將溫度升至1000~1200℃;
保溫時間為1~3天;
所述降溫為將溫度降為20~25℃;
升溫和降溫的速率相同或不同,獨立地選自30~60℃/小時;
其中,所述方硼石晶體的化學式為Mg3B7O13Cl;
所述晶體室溫下為正交結構,空間群為Pca21,其晶胞參數為
所述方硼石晶體的紫外吸收邊為155 nm;
所述晶體的矯頑電場為41.5 kV/cm,剩余極化強度為0.25 μC/cm2;
所述晶體的鐵電-順電相變溫度為258℃。
2.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述燒制的溫度為800~900℃。
3.根據權利要求1或2所述的制備方法,其特征在于,所述燒制時間為2.0h。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院福建物質結構研究所,未經中國科學院福建物質結構研究所許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810196575.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:提純多晶硅的方法
- 下一篇:一種稀土離子摻雜硅酸鎵鋱激光晶體及其制備方法





