[發明專利]顯示裝置、應用于顯示裝置中的線結構以及形成線的方法有效
| 申請號: | 201810195312.0 | 申請日: | 2018-03-09 |
| 公開(公告)號: | CN108573920B | 公開(公告)日: | 2023-08-29 |
| 發明(設計)人: | 金基鉉;李珍淑;樸英吉;徐賢尚;安娜理;趙誠贊 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H10K59/12 | 分類號: | H10K59/12;H10K59/131;H10K71/00 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;程月 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 應用于 中的 結構 以及 形成 方法 | ||
提供了顯示裝置、應用于顯示裝置中的線結構以及形成線的方法。所述顯示裝置包括:基底,包括顯示區域和非顯示區域;多個像素,設置在顯示區域中;多條線,分別連接到所述多個像素,所述多條線將信號施加到所述多個像素,所述多條線均包括第一金屬層和第二金屬層,第一金屬層包括第一金屬,第二金屬層設置在第一金屬層上并且包括第二金屬;絕緣層,設置在基底與所述多條線之間的至少一部分處,絕緣層包括無機絕緣層和有機絕緣層;阻擋層,設置在有機絕緣層與第一金屬層之間,阻擋層包括第一金屬的氧化物。
本申請要求于2017年3月10日提交的第10-2017-0030797號韓國專利申請的優先權和由此獲得的全部權益,該韓國專利申請的內容通過引用全部包含于此。
技術領域
本發明的示例性實施例涉及一種顯示裝置。
背景技術
有機發光顯示裝置使用作為自發光元件的有機發光二極管來用于顯示圖像,并且由于其優異的亮度和顏色純度而已經成為下一代顯示裝置的焦點。在這樣的有機發光顯示裝置中,使用諸如紅色像素、綠色像素和藍色像素的彩色像素來形成多個像素,因此,顯示各種彩色圖像。
有機發光顯示裝置通常包括設置在基底上的多層絕緣層、設置在多層絕緣層上的線以及連接到線的多個像素。
發明內容
示例性實施例提供一種高質量顯示裝置以及應用于顯示裝置中的線結構。
根據本發明的示例性實施例,提供了一種顯示裝置,所述顯示裝置包括:基底,包括顯示區域和非顯示區域;多個像素,設置在顯示區域中;多條線,分別連接到所述多個像素,所述多條線將信號施加到所述多個像素,所述多條線均包括第一金屬層和第二金屬層,第一金屬層包括第一金屬,第二金屬層設置在第一金屬層上并且包括第二金屬;絕緣層,設置在基底與所述多條線之間的至少一部分處,絕緣層包括無機絕緣層和有機絕緣層;阻擋層,設置在有機絕緣層與第一金屬層之間,阻擋層包括第一金屬的氧化物。
在示例性實施例中,有機絕緣層、阻擋層和所述多條線可以包括氧原子,氧原子可以在阻擋層中具有最高濃度峰值。在阻擋層中可以包含比率為約1:1至約3:1的第一金屬和氧原子。
在示例性實施例中,阻擋層可以具有至的厚度。第一金屬層可以具有至的厚度。
在示例性實施例中,有機絕緣層可以包括聚酰亞胺類化合物、聚丙烯酸類化合物、包括特氟綸的氟類聚合物化合物、聚有機硅氧烷類化合物、苯并環丁烯類化合物、酚類化合物、環氧類化合物、聚酰胺類化合物、聚苯醚類化合物和聚苯硫醚類化合物中的至少一種。
在示例性實施例中,第一金屬可以是鈦,第二金屬可以是鋁。所述多條線均還可以包括設置在第二金屬層上的第三金屬層,第三金屬層包括第三金屬。第三金屬可以是鈦。
在示例性實施例中,絕緣層可以以多個設置,所述多個絕緣層中的至少一個可以設置為有機絕緣層,所述多條線可以設置在所述多個絕緣層中的至少一個上,阻擋層可以設置在有機絕緣層與所述多條線之間。
在示例性實施例中,所述多條線可以包括設置在所述多個絕緣層中的一個絕緣層上的第一線以及設置在所述多個絕緣層中的其它絕緣層中的一個絕緣層上的第二線,第一線和第二線可以通過接觸孔彼此連接,所述接觸孔限定在設置在第一線與第二線之間的絕緣層中。
在示例性實施例中,接觸孔可以被限定為通過去除設置在第一線與第二線之間的絕緣層而設置的側壁,當設置在第一線與第二線之間的絕緣層是有機絕緣層時,阻擋層可以設置在側壁上。
在示例性實施例中,第一線和第二線可以在接觸孔中彼此直接接觸,阻擋層可以不設置在第一線與第二線之間。
在示例性實施例中,所述多個絕緣層可以包括順序地設置在基底上的第一絕緣層至第四絕緣層。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三星顯示有限公司,未經三星顯示有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810195312.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:被加工物的加工方法
- 下一篇:半導體結構的形成方法





