[發明專利]用于三維存儲器件的存儲區制作過程的硬掩模處理方法

有效

• 申請號: 201810191314.2
• 申請日: 2018-03-08
• 公開（公告）號: CN108389786B
• 公開（公告）日: 2019-06-21
• 發明（設計）人: 何佳;劉藩東;華文宇;夏志良;霍宗亮
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L27/11517
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 駱希聰

1.一種硬掩模處理方法，用于三維存儲器件的存儲區制作過程，所述方法包括以下步驟：

提供半導體結構，所述半導體結構包括堆疊層、位于所述堆疊層中的溝道孔，以及位于所述堆疊層上的硬掩模層；

填充所述溝道孔；

在所述溝道孔中形成凹槽；

在所述堆疊層和硬掩模層上覆蓋接觸層，所述接觸層的一部分嵌入所述凹槽；

進行平坦化處理，一并去除所述硬掩模層和所述接觸層，直至露出所述堆疊層表面；

其中所述硬掩模層的材料適于在同一平坦化處理步驟中與所述接觸層一并被去除。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩模層和所述接觸層的材料是多晶硅。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述平坦化處理具有多晶硅對氧化硅的高選擇比。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，填充所述溝道孔的步驟包括在所述溝道孔的底部形成外延區。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，填充所述溝道孔的步驟包括在所述溝道孔的側壁從外到內依次形成阻擋絕緣層、電荷俘獲層和隧穿絕緣層。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述電荷俘獲層的材料為氮化硅。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，填充所述溝道孔的步驟包括形成溝道層。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，填充所述溝道孔的步驟包括形成填充層。

9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述凹槽形成于所述填充層頂部。