[發明專利]半導體封裝裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201810191125.5
• 申請日: 2018-03-08
• 公開（公告）號: CN109712942B
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發明（設計）人: 房昱安;曾吉生
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

1.一種半導體封裝裝置，其包括：

襯底，其具有第一表面及與所述第一表面相對的第二表面，所述襯底限定穿透所述襯底的第一開口；

電子組件，其安置于所述襯底的所述第一表面上；

保護層，其安置于所述襯底的所述第二表面上，所述保護層包括鄰近所述第一開口的第一部分及安置成比所述保護層的所述第一部分更遠離所述第一開口的第二部分，所述保護層的所述第一部分具有背離所述襯底的所述第二表面的表面，所述保護層的所述第二部分具有背離所述襯底的所述第二表面的表面，

其中所述保護層的所述第一部分的所述表面與所述襯底的所述第二表面之間的距離大于所述保護層的所述第二部分的所述表面與所述襯底的所述第二表面之間的距離。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝裝置，其進一步包括安置于所述襯底的所述第二表面上的導電襯墊，其中所述保護層進一步包含第三部分，所述第三部分覆蓋所述導電襯墊的一部分且具有背離所述襯底的所述第二表面的表面，且其中所述保護層的所述第一部分的所述表面與所述襯底的所述第二表面之間的所述距離實質上等于或大于所述保護層的所述第三部分的所述表面與所述襯底的所述第二表面之間的距離。

3.根據權利要求2所述的半導體封裝裝置，其中所述保護層與所述導電襯墊共形。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝裝置，其進一步包括安置于所述襯底的所述第二表面上且由所述保護層的所述第一部分覆蓋的金屬結構。

5.根據權利要求4所述的半導體封裝裝置，其中所述金屬結構包括虛設襯墊或接地襯墊。

6.根據權利要求4所述的半導體封裝裝置，其中所述金屬結構包圍所述第一開口。

7.根據權利要求1所述的半導體封裝裝置，其進一步包括安置于所述襯底的所述第一表面上且覆蓋所述電子組件的殼體。

8.根據權利要求1所述的半導體封裝裝置，其中所述保護層包含感光材料。

9.根據權利要求1所述的半導體封裝裝置，其中所述保護層沿所述襯底的所述第二表面延伸且突出超過所述第一開口的邊緣以限定第二開口。

10.根據權利要求9所述的半導體封裝裝置，其中所述第一開口的寬度大于所述第二開口的寬度。

11.根據權利要求1所述的半導體封裝裝置，其進一步包括安置于所述襯底與所述電子組件之間的托架，其中所述托架限定與所述襯底的所述第一開口實質上對準的排氣孔。

12.根據權利要求11所述的半導體封裝裝置，其進一步包括包圍所述第一開口及所述排氣孔的密封元件。

13.一種半導體封裝裝置，其包括

襯底，其具有第一表面及與所述第一表面相對的第二表面，所述襯底限定穿透所述襯底的第一開口；

電子組件，其安置于所述襯底的所述第一表面上；

金屬結構，其安置于所述襯底的所述第二表面上且鄰近所述第一開口；及

保護層，其包括覆蓋所述襯底的所述第二表面的第一部分及覆蓋所述金屬結構的第二部分。

14.根據權利要求13所述的半導體封裝裝置，其中所述保護層的所述第一部分的厚度實質上與所述保護層的所述第二部分的厚度相同。

15.根據權利要求13所述的半導體封裝裝置，其中所述保護層的所述第二部分的表面與所述襯底的所述第二表面之間的距離大于所述保護層的所述第一部分的表面與所述襯底的所述第二表面之間的距離。