[發明專利]制作集成電路裝置的方法在審
| 申請號： | 201810190899.6 | 申請日： | 2018-03-08 |
| 公開（公告）號： | CN109841612A | 公開（公告）日： | 2019-06-04 |
| 發明（設計）人： | 比斯瓦思希蘭梅;王中興;林晉申;楊國男 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02;G06F17/50 |
| 代理公司： | 南京正聯知識產權代理有限公司 32243 | 代理人： | 顧伯興 |
| 地址： | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 通孔 集成電路裝置 導電線 集成電路組件 大橫截面 電源網格 功能部件 功能群組 設計規則 預定準則 總橫截面 多層 制作 供電 替代 占據 | ||
【權利要求書】：
1.一種制作集成電路裝置的方法，其特征在于，所述方法包括：
通過接收第一層導電接點中的第一導電接點部分的位置及第二層導電接點中的第二導電接點部分的位置、對所述第一導電接點部分與所述第二導電接點部分進行電內連的第一通孔的位置及第一大小以及集成電路組件的功能群組的選擇及位置來接收集成電路裝置的第一設計；
基于預定準則來確定能夠對所述第一設計進行修改；
通過使用具有更大橫截面積的經修改通孔或總橫截面積比所述第一通孔大的多個通孔替代所述第一通孔來修改所述集成電路裝置的所述第一設計；以及
確認經修改的所述第一設計符合預定的一組設計規則。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
