[發(fā)明專利]集成電路器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810189472.4
• 申請日: 2018-03-08
• 公開（公告）號: CN108573969B
• 公開（公告）日: 2022-10-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李俊坤;富田隆治;李道仙;金哲性;李到玹
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04;H01L29/78
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 屈玉華

一種集成電路器件包括至少一個鰭型有源區(qū)、在至少一個鰭型有源區(qū)上的柵線以及在柵線的至少一側(cè)的至少一個鰭型有源區(qū)上的源極/漏極區(qū)。第一導電插塞連接到源極/漏極區(qū)并且包括鈷。第二導電插塞連接到柵線并與第一導電插塞間隔開。第三導電插塞連接到第一導電插塞和第二導電插塞的每個。第三導電插塞電連接第一導電插塞和第二導電插塞。

技術(shù)領(lǐng)域

這里描述的一個或更多個實施方式涉及集成電路器件。

背景技術(shù)

按比例縮小一直是集成電路設(shè)計者的目標。按比例縮小的一種方法涉及減小金屬互連線的寬度和節(jié)距。然而，這可能導致對互連結(jié)構(gòu)(例如金屬互連線)的物理損傷和/或化學損傷。結(jié)果，集成電路器件的耐久性和可靠性受到不利影響。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)一個或更多個實施方式，一種集成電路器件包括：襯底，其包括在第一方向上延伸的至少一個鰭型有源區(qū)；柵線，其在至少一個鰭型有源區(qū)上并在交叉第一方向的第二方向上延伸；源極/漏極區(qū)，其在柵線的至少一側(cè)的至少一個鰭型有源區(qū)上；第一導電插塞，其被連接到源極/漏極區(qū)并包括鈷；第二導電插塞，其被連接到柵線，第二導電插塞與第一導電插塞間隔開；以及第三導電插塞，其被連接到第一導電插塞和第二導電插塞的每個，第三導電插塞電連接第一導電插塞和第二導電插塞。

根據(jù)一個或更多個其他實施方式，一種集成電路器件包括：襯底，其包括至少一個鰭型有源區(qū)；延伸跨過至少一個鰭型有源區(qū)的多個柵線；多個源極/漏極區(qū)，其在所述多個柵線的彼此相反側(cè)的至少一個鰭型有源區(qū)上；第一接觸結(jié)構(gòu)，其包括第一導電插塞和第二導電插塞，第一導電插塞連接到所述多個柵線中的相鄰柵線之間的所述多個源極/漏極區(qū)中的至少一個，第二導電插塞連接到所述多個柵線中的相鄰柵線中的一個；以及第二接觸結(jié)構(gòu)，其在第一接觸結(jié)構(gòu)上并且包括第三導電插塞，第三導電插塞在第一導電插塞的上表面上以及在第二導電插塞的上表面上以連接第一導電插塞和第二導電插塞。

根據(jù)一個或更多個其他實施方式，一種器件包括：第一接觸；第二接觸；以及交疊第一接觸和第二接觸的第三接觸，其中第一接觸是第一尺寸的柵極接觸，第二接觸是大于第一尺寸的第二尺寸的源極/漏極接觸，并且第三接觸電連接到第一接觸和第二接觸，第三接觸在延伸到源極/漏極接觸的上表面的接觸孔中。

附圖說明

通過參照附圖詳細描述示例性實施方式，特征對于本領(lǐng)域技術(shù)人員將變得明顯，在附圖中：

圖1示出集成電路器件的布局實施方式；

圖2A示出沿圖1中的線X-X'截取的剖面圖，圖2B示出沿圖1中的線Y-Y'截取的剖面圖；

圖3示出集成電路器件的另一實施方式；

圖4示出集成電路器件的另一實施方式；

圖5A至圖5G示出制造集成電路器件的方法的一實施方式中的階段；

圖6A至圖6D示出制造集成電路器件的方法的另一實施方式中的階段；以及

圖7A和7B示出制造集成電路器件的方法的另一個實施方式中的階段。

具體實施方式

圖1示出集成電路器件100的布局實施方式。圖2A示出沿圖1中的線X-X'截取的剖面圖。圖2B示出沿圖1中的線Y-Y'截取的剖面圖。

參照圖1、2A和2B，集成電路器件100可以包括具有在水平方向(例如X方向和Y方向)上延伸的主表面110m的襯底110。襯底110可以包括器件有源區(qū)AC，其可以包括多個鰭型有源區(qū)FA。鰭型有源區(qū)FA可以在器件有源區(qū)AC中從襯底110突出。鰭型有源區(qū)FA可以在X方向上彼此平行地延伸。隔離絕緣層129可以在器件有源區(qū)AC上的鰭型有源區(qū)FA的每個之間。鰭型有源區(qū)FA可以在隔離絕緣層129之上突出以具有鰭形狀。