[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體激光器件及其制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810189195.7
• 申請(qǐng)日: 2018-03-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108551077A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-09-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡海;何晉國(guó)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳瑞波光電子有限公司
• 主分類號(hào): H01S5/026
• 分類號(hào): H01S5/026;H01S5/30
• 代理公司: 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280
• 代理人: 賈鳳濤

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種半導(dǎo)體激光器件及其制作方法。該半導(dǎo)體激光器件包括層疊設(shè)置的芯片、焊料層與熱沉；其中，芯片包括第一電極和第二電極，第一電極設(shè)置于第二電極上，第二電極設(shè)置于焊料層上，第一電極和第二電極的側(cè)壁設(shè)置一溝槽，溝槽的深度大于焊料層擠出的高度；溝槽的表面設(shè)置一絕緣層，絕緣層用以隔絕焊料層與第一電極的接觸。通過(guò)上述方式，本申請(qǐng)能夠有效地防止焊料層與第一電極的直接接觸，避免了第一電極與第二電極連通而造成的芯片短路問(wèn)題，提高了半導(dǎo)體激光器件的成品率和可靠性。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域，特別是涉及一種半導(dǎo)體激光器件及其制作方法。

背景技術(shù)

由于芯片與焊料燒結(jié)的過(guò)程是在高溫條件下，因此芯片上的金屬和焊料會(huì)發(fā)生融合，焊料處于熔融狀態(tài)，芯片由于重力作用或者外部加壓力下沉，這個(gè)過(guò)程中，焊料往往被擠壓、在芯片兩側(cè)溢出，而焊料被擠出部分，往往堆積在芯片的兩側(cè)，堆積的高度大于芯片PN結(jié)位置，從而導(dǎo)致芯片側(cè)壁的N型半導(dǎo)體區(qū)域和焊料直接接觸；由于焊料是導(dǎo)電材料，致使芯片P面金屬電極和N面金屬電極通過(guò)焊料和N型半導(dǎo)體區(qū)域連接，造成短路，芯片報(bào)廢。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)主要解決的問(wèn)題是提供一種半導(dǎo)體激光器件及其制作方法，能夠有效地防止焊料層與第一電極的直接接觸，避免了第一電極與第二電極連通而造成的芯片短路問(wèn)題，提高了半導(dǎo)體激光器件的成品率和可靠性。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本申請(qǐng)采用的技術(shù)方案是提供一種半導(dǎo)體激光器件，該半導(dǎo)體激光器件包括層疊設(shè)置的芯片、焊料層與熱沉；其中，芯片包括第一電極和第二電極，第一電極設(shè)置于第二電極上，第二電極設(shè)置于焊料層上，第一電極和第二電極的側(cè)壁設(shè)置一溝槽，溝槽的深度大于焊料層擠出的高度；溝槽的表面設(shè)置一絕緣層，絕緣層用以隔絕焊料層與第一電極的接觸。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本申請(qǐng)采用的另一技術(shù)方案是提供一種半導(dǎo)體激光器件的制作方法，該半導(dǎo)體激光器件的制作方法包括提供一熱沉；在芯片的第一電極和第二電極的側(cè)壁蝕刻溝槽；利用焊料連接芯片與熱沉；其中，芯片包括第一電極和第二電極，第一電極設(shè)置于第二電極上，第二電極設(shè)置于焊料層上，溝槽的深度大于焊料擠出的高度；溝槽的表面具有一絕緣層，絕緣層用以隔絕焊料層與第一電極的接觸。

通過(guò)上述方案，本申請(qǐng)的有益效果是：本申請(qǐng)通過(guò)在芯片的第一電極和第二電極的側(cè)壁設(shè)置一溝槽，并使得溝槽的深度大于焊料層擠出的高度；溝槽的表面設(shè)置一絕緣層，絕緣層用以隔絕焊料層與第一電極的接觸，能夠有效地防止焊料層與第一電極的直接接觸，防止出現(xiàn)第一電極與第二電極連通造成的芯片短路問(wèn)題，提高了半導(dǎo)體激光器件的成品率和可靠性。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。其中：

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中半導(dǎo)體激光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本申請(qǐng)?zhí)峁┑陌雽?dǎo)體激光器件一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本申請(qǐng)?zhí)峁┑陌雽?dǎo)體激光器件一實(shí)施例中溝槽的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本申請(qǐng)?zhí)峁┑陌雽?dǎo)體激光器件另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本申請(qǐng)?zhí)峁┑陌雽?dǎo)體激光器件的制作方法一實(shí)施例的流程示意圖；

圖6是本申請(qǐng)?zhí)峁┑陌雽?dǎo)體激光器件的制作方法一實(shí)施例中半導(dǎo)體激光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是本申請(qǐng)?zhí)峁┑陌雽?dǎo)體激光器件的制作方法一實(shí)施例中Bar條的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式