[發明專利]一種基于晶格結構不對稱的雙層二硫化鉬能隙調控方法在審
| 申請號： | 201810188987.2 | 申請日： | 2018-03-08 |
| 公開（公告）號： | CN108383164A | 公開（公告）日： | 2018-08-10 |
| 發明（設計）人： | 張崳;楊勇;孫秋成;劉光潔 | 申請（專利權）人： | 長春師范大學 |
| 主分類號： | C01G39/06 | 分類號： | C01G39/06 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 130032 吉林*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 二硫化鉬 能隙 晶格結構 調控 精確調控 不對稱 電子器件制造 不對稱性 非對稱性 功能器件 無損 摻雜 制造 | ||
【權利要求書】：
1.一種雙層二硫化鉬能隙調控方法，其特征在于，包括以下步驟：
將雙層二硫化鉬的一層固定，另一層旋轉角度θ；
根據KS方程計算旋轉角度θ下的波函數
根據波函數計算得到角度θ下的電子密度nθ(r)；
根據電子密度nθ(r)和能量泛函，計算不同旋轉角度θ下的能帶結構；
根據不同旋轉角度的能帶結構，計算能隙大小。
2.根據權利要求1所述的一種基于晶格結構不對稱的雙層二硫化鉬能隙調控方法，其特征在于，所述旋轉角度0°≤θ≤60°(二硫化鉬是以60°為周期的晶格結構)。
3.根據權利要求1所述的一種基于晶格結構不對稱的雙層二硫化鉬能隙調控方法，其特征在于，所述KS方程為：
其中，Veff(r)為有效勢，它可以定義為Veff(r)＝Vext(r)+VH(r)+VXC(r)，其中分別為外勢、Hartree勢和交換相關勢。
4.根據權利要求1所述的一種基于晶格結構不對稱的雙層二硫化鉬能隙調控方法，其特征在于，所述電子密度nθ(r)為：
其中，為波函數。
5.根據權利要求1所述的一種基于晶格結構不對稱的雙層二硫化鉬能隙調控方法，其特征在于，所述能量泛函為：
其中，T(n)是動能，n(r)為電子密度，EXC[n]是交換能，VXC(r)為外勢能。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于長春師范大學，未經長春師范大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810188987.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
