[發(fā)明專利]一種稀土涂層復(fù)合鋁硅銅合金的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810187226.5 | 申請日: | 2018-03-07 |
| 公開(公告)號: | CN108342622A | 公開(公告)日: | 2018-07-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 瞿凌飛 | 申請(專利權(quán))人: | 瞿凌飛 |
| 主分類號: | C22C21/02 | 分類號: | C22C21/02;C22C1/03;C22C1/06;C23C14/35;C23C14/16;C22C14/00;C23C14/58;B21B1/02 |
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| 地址: | 434100 湖北省*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 鋁硅銅合金 硅銅合金 稀土涂層 復(fù)合鋁 制備 合金 記憶合金層 表面形成 磁控濺射 低溫軋制 均勻致密 力學(xué)性能 參數(shù)解 針孔度 膜基 稀土 屈服 | ||
本發(fā)明公開了一種稀土涂層復(fù)合鋁硅銅合金的制備方法,本發(fā)明通過調(diào)整工藝以及參數(shù)解提升了合金的針孔度;本發(fā)明采用磁控濺射的方法,并采用低溫軋制的手段,在鋁硅銅合金表面形成稀土記憶合金層,能夠?qū)⑻嵘摵辖鸬那?qiáng)度,使得鋁硅銅合金的表面均勻致密、膜基結(jié)合強(qiáng)度高、力學(xué)性能優(yōu)良。
所屬技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及鋁合金制造領(lǐng)域,具體涉及一種稀土涂層復(fù)合鋁硅銅合金的制備方法。
背景技術(shù)
合金材料由于在材料中存在多種金屬元素,因此可以具有不同金屬元素的特性,具備了不同金屬元素的特性后,擴(kuò)大了合金材料的性能和使用范圍。銅鋁合金合金的使用范圍很廣,可以用于輕工、重工、電子行業(yè)等。例如被用來制作彈簧、電子設(shè)備的金屬部分、五金器材、醫(yī)療設(shè)備等
Al-Si-Cu系鋁合金錠是一種具有良好綜合性能的壓鑄鋁合金,現(xiàn)如今被于汽車零部件行業(yè)廣泛應(yīng)用。目前許多生產(chǎn)汽車零部件的用戶在對于Al-Si-Cu系鋁合金錠的各種性能要求越來越嚴(yán)苛,由于鋁錠針孔度問題,從而導(dǎo)致的產(chǎn)品零件疏松、開裂,不良率較大。
形狀記憶合金(Shape Memory Alloy,SMA)是指經(jīng)過適當(dāng)變形后,在一定物理條件變化下能自動做功而恢復(fù)變形前形狀的合金。形狀記憶合金因其具有較高的可恢復(fù)性形變,已成為一種重要的功能材料,獲得了廣泛應(yīng)用。鎳鈦系形狀記憶具有記憶恢復(fù)原形、無磁性、耐磨耐蝕、耐高溫、無毒性的特點。不過,當(dāng)前的形狀記憶合金的屈服強(qiáng)度一般在700MPa以下。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種稀土涂層復(fù)合鋁硅銅合金的制備方法,本發(fā)明通過調(diào)整工藝以及參數(shù)解提升了合金的針孔度;本發(fā)明采用磁控濺射的方法,并采用低溫軋制的手段,在鋁硅銅合金表面形成稀土記憶合金層,能夠?qū)⑻嵘摵辖鸬那?qiáng)度,使得鋁硅銅合金的表面均勻致密、膜基結(jié)合強(qiáng)度高、力學(xué)性能優(yōu)良。
為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了一種稀土涂層復(fù)合鋁硅銅合金的制備方法,該方法包括如下步驟:
(1)制備鋁銅合金基材
將質(zhì)量百分比80%的熟鋁及質(zhì)量百分比20%純銅投入熔爐中,進(jìn)行助熔,總?cè)刍瘯r長為3-5小時,熔化終止溫度控制為850±10℃;
用鐵鍬在合金液表面撒上15-20KG清渣劑,用鐵扒輕輕敲打液面5-10分鐘后扒渣,并將鋁渣清出爐口,不能用鐵扒攪動合金液;
第一次精煉:合金液溫度控制為820±10℃;精煉時間控制在20分鐘;扒渣時間≧15分鐘;精煉劑數(shù)量控制為1.6kg/噸;第二次精煉:合金液溫度控制為820±10℃;精煉時間控制在20分鐘;扒渣時間≧15分鐘;精煉劑數(shù)量控制為1KG/噸;精煉后鑄錠,得到鋁銅合金基材;
(2)將材料按比例配料,其中配料比例為硅的質(zhì)量百分比為21%-35%,余量為上述鋁銅合金基材;
將上述配料熔煉、攪拌,噴射沉積得到錠坯;將錠坯進(jìn)行致密化加工,即得到致密度大于99%的鋁鉍硅合金基材;
(3)基材預(yù)處理
所述基材預(yù)處理,可依次進(jìn)行研磨拋光、超聲清洗和離子源清洗;
(4)制備稀土記憶合金靶材
該稀土記憶合金靶材由鈦、鎳、鋁、釔、鉻、硅元素構(gòu)成;
按重量份包括如下組分:鈦55-65份,鎳10-12份;鋁6-9份;釔1-3份、鉻4-6份;硅1-2份;
采用熔煉法制備得到稀土記憶合金靶材 ;
(5)采用上述合金靶材,使用磁控濺射方法,在上述基材上形成薄膜狀的稀土記憶合金層:
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