[發明專利]形成相變材料的方法和形成相變存儲器電路的方法

在審

• 申請號: 201810186807.7
• 申請日: 2010-03-22
• 公開（公告）號: CN108288618A
• 公開（公告）日: 2018-07-17
• 發明（設計）人: 尤金·P·馬什;蒂莫西·A·奎克;斯特凡·烏倫布羅克
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L27/11509
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種形成包含鍺和碲的相變材料的方法，其包含：

利用由GeH₄、四-二烷基酰胺基鍺和雙-二叔丁基脒基鍺的一者中的成分組成的金屬前體化學劑來將包含鍺的材料沉積于襯底上，所述包含鍺的材料包含呈元素形式的鍺，并使用還原前體來促使所述呈元素形式的鍺形成由元素鍺構成的包含鍺的層；和

使氣態乙氧化碲IV流動到所述包含鍺的材料上且從所述氣態前體移出碲以與所述包含鍺的材料中所述呈元素形式的鍺反應，從而在所述襯底上形成相變材料的包含鍺和碲的化合物。

2.根據權利要求1所述的方法，其對所述包含鍺和碲的化合物的形成具有自我限制性，且包含使所述氣態前體繼續流動到所述包含鍺的材料上至少直到不再形成所述化合物，借此自我限制從所述流動形成的所述包含鍺和碲的化合物的厚度。

3.根據權利要求2所述的方法，其包含在不再形成所述化合物后使所述流動繼續至少10秒。

4.根據權利要求3所述的方法，其包含至少在不再形成所述化合物后從所述氣態前體移出碲。

5.根據權利要求1所述的方法，其包含在所述流動后：

沉積更多的包含呈元素形式鍺的包含鍺的材料；和

在所述更多的包含鍺的材料沉積后，使包含碲的氣態前體流動到所述包含鍺的材料上，此可移出碲以與所述呈元素形式的鍺反應，從而形成包含鍺和碲的化合物。

6.根據權利要求1所述的方法，其包含將所述沉積和所述流動重復至少一次。

7.根據權利要求1所述的方法，其包含將所述沉積和所述流動重復一次以上。

8.根據權利要求7所述的方法，其中每次沉積的包含鍺的材料的厚度為1埃到20埃。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述沉積和所述流動構成一個周期，在所述周期中從所述流動形成的所述相變材料的厚度比所述包含鍺的沉積材料的厚度大至少50％，所述包含碲的氣態材料流動到所述包含鍺的沉積材料上。

10.根據權利要求9所述的方法，其中在所述周期中從所述流動形成的所述相變材料的厚度比所述包含鍺的沉積材料的厚度大至少100％，所述氣態乙氧化碲IV流動到所述包含鍺的沉積材料上。

11.根據權利要求1所述的方法，其中所述包含鍺的材料包含銻，所述包含鍺和碲的化合物包含銻。

12.一種形成包含鍺和碲的相變材料的方法，其包含：

在襯底材料中形成開口；

利用由GeH₄、四-二烷基酰胺基鍺和雙-二叔丁基脒基鍺的一者中的成分組成的金屬前體化學劑來使用包含鍺的材料襯砌所述開口，所述包括鍺的材料接納于所述開口外側的材料上，所述包含鍺的材料包含呈元素形式的鍺，并使用還原前體來促使所述呈元素形式的鍺形成由元素鍺構成的包含鍺的層；

使包括乙氧化碲IV的包含碲的氣態前體流動到在所述開口內和所述開口外側的所述包含鍺的材料上，且從所述氣態前體移出碲以與所述包含鍺的材料中所述呈元素形式的鍺反應，從而形成相變材料的包含鍺和碲的化合物；和

所述包含鍺和碲的化合物的形成速率在靠近所述開口基底處小于所述開口外側，且在所述開口外側不再形成所述化合物但在所述開口內繼續形成所述化合物的時刻之后，使所述氣態前體繼續流動，借此自我限制從所述流動形成的所述包含鍺和碲的化合物的厚度。

13.根據權利要求12所述的方法，其包含在所述開口內不再形成所述化合物后使所述流動繼續至少10秒。

14.根據權利要求12所述的方法，其包含至少在所述開口外側不再形成所述化合物后從所述開口外側的所述氣態前體移出碲。