[發(fā)明專利]半導體封裝裝置及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810184022.6 | 申請日： | 2018-03-06 |
| 公開（公告）號： | CN109216310B | 公開（公告）日： | 2020-05-01 |
| 發(fā)明（設計）人： | 方仁廣;呂文隆 | 申請（專利權）人： | 日月光半導體制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/488 | 分類號： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 蕭輔寬 |
| 地址： | 中國臺灣高雄市楠梓*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 封裝 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導體封裝裝置，其包括：
第一介電層，其具有第一表面及與所述第一表面相對的第二表面，所述第一介電層界定從所述第一表面朝向所述第二表面漸縮的第一開口；
第一導電墊，其在所述第一開口內(nèi)且鄰近于所述第一介電層的所述第二表面；
第一導電元件，其中所述第一導電元件的至少一部分安置在所述第一開口內(nèi)，且所述第一導電元件與所述第一開口的側壁接合，所述第一導電元件具有面向所述第一導電墊的第一表面，其中所述第一導電元件的所述第一表面與所述第一導電墊隔開。
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體封裝裝置，其中
所述導電元件進一步包含第一部分及第二部分；
所述導電元件的所述第二部分與所述第一開口的所述側壁接合；且
所述第一導電元件的所述第一部分及所述第二部分包括不同材料。
3.根據(jù)權利要求2所述的半導體封裝裝置，其中
所述第一導電墊包括第一部分及覆蓋所述第一部分的第二部分；且
所述第一導電墊的所述第一部分及所述第二部分包括不同材料。
4.根據(jù)權利要求3所述的半導體封裝裝置，其進一步包括在所述第一導電元件與所述第一導電墊之間的第一焊料層，其中所述第一焊料層包括鄰近于所述第一導電元件的所述第二部分的第一部分、鄰近于所述第一導電墊的所述第二部分的第二部分，及第三部分。
5.根據(jù)權利要求4所述的半導體封裝裝置，其中
所述第一焊料層的所述第一部分及所述第一導電元件的所述第二部分形成第一金屬間化合物IMC層；
所述第一焊料層的所述第二部分及所述第一導電墊的所述第二部分形成第二IMC層；且
所述第一導電元件的所述第一表面與所述第一導電墊之間的距離大于所述第一金屬間化合物IMC層的厚度與所述第二IMC層的厚度的和的一半。
6.根據(jù)權利要求5所述的半導體封裝裝置，其中所述第一金屬間化合物IMC層接觸所述第二IMC層。
7.根據(jù)權利要求4所述的半導體封裝裝置，其進一步包括：
載體，其具有第一表面，所述第一介電層及所述第一導電墊安置在所述第一表面上，其中所述第一介電層的所述第二表面面向所述載體；及
第一電子組件，其在所述第一介電層上，所述第一電子組件具有面向所述第一介電層的第一表面及與所述第一表面相對的第二表面，其中所述第一電子組件的所述第一表面電連接到所述第一導電元件。
8.根據(jù)權利要求7所述的半導體封裝裝置，其進一步包括：
第二導電墊，其在所述第一電子組件的所述第二表面上；
第二介電層，其在所述第一電子組件的所述第二表面上，所述第二介電層界定朝向所述第一電子組件的所述第二表面漸縮以暴露所述第二導電墊的第二開口；及
第二導電元件，其中所述第二導電元件的至少一部分在所述第二開口內(nèi)，且所述第二導電元件與所述第二開口的側壁接合，所述第二導電元件具有面向所述第二導電墊的第一表面。
9.根據(jù)權利要求8所述的半導體封裝裝置，其中所述第一導電元件的所述第一表面與所述第一導電墊之間的距離小于所述第二導電元件的所述第一表面與所述第二導電墊之間的距離。
10.根據(jù)權利要求8所述的半導體封裝裝置，其中所述第一導電墊的厚度大于所述第二導電墊的厚度。
11.根據(jù)權利要求10所述的半導體封裝裝置，其進一步包括在所述載體的與所述第一表面相對的第二表面上的第三導電墊，其中所述第三導電墊的厚度小于所述第一導電墊的所述厚度或所述第二導電墊的所述厚度。
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