[發明專利]倒裝發光二極管及其制作方法

有效

• 申請號: 201810183224.9
• 申請日: 2018-03-06
• 公開（公告）號: CN108767081B
• 公開（公告）日: 2020-01-24
• 發明（設計）人: 熊偉平;鐘秉憲;吳俊毅;吳超瑜;王篤祥
• 申請（專利權）人: 天津三安光電有限公司
• 主分類號: H01L33/22
• 分類號: H01L33/22;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.倒裝發光二極管，其結構自上而下包含：透明襯底、透明鍵合層、外延結構、第一和第二金屬電極，所述外延結構包含一p型半導體層、有源層、n型半導體層，其中n型半導體層及有源層的一部分被蝕刻，露出p型半導體層的一部分，所述第一和第二金屬電極分別設置于所述n型半導體層及p型半導體層之上，所述p型半導體層與透明鍵合層接觸的面經圖形化粗化處理，其中芯片邊緣未粗化。

2.根據權利要求1所述的倒裝發光二極管，其特征在于：所述透明襯底為藍寶石或玻璃透明材料。

3.根據權利要求1所述的倒裝發光二極管，其特征在于：所述第一和第二金屬電極分別于n型半導體層與p型半導體層形成歐姆接觸，同時作為封裝焊接電極。

4.根據權利要求1所述的倒裝發光二極管，其特征在于：所述p型半導體層與透明鍵合層接觸的面經粗化處理，粗化前采用光刻工藝形成保護圖形，芯片邊緣一圈被保護，將不被粗化，未粗化部分自芯片邊緣向內縮。

5.根據權利要求1所述的倒裝發光二極管，其特征在于：所述芯片邊緣未粗化的部分自芯片邊緣向內縮的寬度為10-50微米。

6.根據權利要求1所述的倒裝發光二極管，其特征在于：所述透明鍵合層采用電子束蒸鍍或磁控濺射方法沉積于所述的p型半導體層粗化面，經拋光處理后形成平坦面。

7.根據權利要求1所述的倒裝發光二極管，其特征在于：位于所述第二金屬電極上方的p型半導體層未進行粗化。

8.倒裝發光二極管的制作方法，其步驟包括：提供一倒裝發光二極管外延結構，在所述倒裝發光二極管外延結構表面進行圖形化粗化處理，其含有部分未粗化區域，在所述粗化處理后的外延結構表面沉積透明鍵合層，對所述透明鍵合層進行拋光處理，將上述處理過后的倒裝外延結構鍵合轉移至透明襯底，對應所述粗化處理的圖形依次形成第一和第二金屬電極，經切割形成獨立的倒裝發光二極管芯片，芯片邊緣未粗化，形成保護框。

9.根據權利要求8所述的倒裝發光二極管的制作方法，其特征在于：所述的粗化為隨機粗化。

10.根據權利要求8所述的倒裝發光二極管的制作方法，其特征在于：所述未粗化區域依據發光二極管芯片尺寸及形狀形成位于芯片邊緣的邊框。