[發(fā)明專利]一種高矯頑力釹鐵硼磁體及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810178869.3 | 申請(qǐng)日： | 2018-03-05 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN108565105A | 公開（公告）日： | 2018-09-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉仲武;曾慧欣;李偉;趙利忠;張家勝;鐘喜春;邱萬奇 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 華南理工大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H01F41/02 | 分類號(hào)： | H01F41/02;H01F1/057;C23C10/30 |
| 代理公司： | 廣州市華學(xué)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44245 | 代理人： | 羅嘯秋 |
| 地址： | 510640 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 釹鐵硼磁體 表面擴(kuò)散 高矯頑力 制備 稀土合金 熔點(diǎn) 擴(kuò)散熱處理 擴(kuò)散 工藝過程 擴(kuò)散介質(zhì) 稀土元素 永磁材料 低熔點(diǎn) 矯頑力 晶界相 | ||
1.一種高矯頑力釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于包括如下制備步驟：
(1)制備熔點(diǎn)為450～950℃的低熔點(diǎn)非稀土合金，作為表面擴(kuò)散介質(zhì)；
(2)將步驟(1)的表面擴(kuò)散介質(zhì)置于釹鐵硼磁體表面，形成擴(kuò)散偶；
(3)將步驟(2)中形成擴(kuò)散偶的釹鐵硼磁體在真空下進(jìn)行擴(kuò)散熱處理，得到高矯頑力釹鐵硼磁體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高矯頑力釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于：步驟(1)中所述低熔點(diǎn)非稀土合金為Al-Cu、Al-Zn或Cu-Zn合金。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高矯頑力釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于：所述低熔點(diǎn)非稀土合金通過感應(yīng)熔煉、氬弧熔煉或粉末冶金方法制備。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高矯頑力釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于：步驟(2)中所述釹鐵硼磁體是指燒結(jié)釹鐵硼磁體、粘結(jié)釹鐵硼磁體或熱壓熱變形釹鐵硼磁體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高矯頑力釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于：步驟(2)中所述釹鐵硼磁體表面是指垂直于釹鐵硼磁體易磁化方向的上下表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高矯頑力釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于：步驟(2)中所述將表面擴(kuò)散介質(zhì)置于釹鐵硼磁體表面的方式包括將合金錠破碎成粉覆蓋在磁體表面或者將合金錠切割成薄片置于磁體表面，使非稀土合金與磁體直接接觸，形成擴(kuò)散偶。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高矯頑力釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于：步驟(3)中所述真空的壓力≤1×10-2Pa。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高矯頑力釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于：所述擴(kuò)散熱處理的溫度為500～800℃，擴(kuò)散熱處理的時(shí)間為1～5h。
9.一種高矯頑力釹鐵硼磁體，其特征在于：通過權(quán)利要求1～8任一項(xiàng)所述的方法制備得到。
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