[發明專利]一種用于光纖薩格納克干涉儀相位調制的方法和裝置有效
| 申請號： | 201810178777.5 | 申請日： | 2018-03-05 |
| 公開（公告）號： | CN110231024B | 公開（公告）日： | 2021-04-23 |
| 發明（設計）人： | 李衛;齊躍峰;李思佳 | 申請（專利權）人： | 李衛;齊躍峰 |
| 主分類號： | G01C19/72 | 分類號： | G01C19/72 |
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| 地址： | 100036 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 光纖 薩格納克 干涉儀 相位 調制 方法 裝置 | ||
1.一種用于光纖薩格納克干涉儀相位調制的方法，其特征在于，該方法包括：
利用兩個旋向相反且旋光角相同的法拉第旋光器件，分別旋轉從光纖薩格納克干涉儀光路中入射的兩路偏振方向相同的線偏振光；
在上述兩個法拉第旋光器件中放置電光晶體器件；
在電光晶體器件的電極上外加調制電壓使得電光晶體發生電致雙折射；
電光晶體電感應主軸所在的平面與入射光的方向垂直；
控制上述兩個法拉第旋光器件的旋光角以及從外部入射其上偏振光的偏振方向，使其出射光的偏振方向分別旋向電光晶體由于電致使雙折射而產生的兩個電感應主軸方向；
通過外加調制電壓的變化來調制電光晶體的電光相位延遲，從而使得從不同端口通過相位調制器的線偏振光的相位差受到調制。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，該方法還包括：法拉第旋光器件的旋光角為45°。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，該方法還包括：電光晶體器件的相位調制指數取值使得一階貝塞爾函數值最大。
4.如權利要求1所述的一種用于光纖薩格納克干涉儀相位調制的方法，其特征在于，該方法還包括：利用光纖準直器來實現法拉第旋光器件接入薩格納克干涉儀。
5.如權利要求1所述的一種方法，其特征在于，該方法還包括：利用偏振片來控制法拉第旋光器件入口處光的偏振方向。
6.一種用于光纖薩格納克干涉儀相位調制的裝置，該裝置包括：一對旋向相反的法拉第旋光器件、一個置于旋光器件中間的電光晶體器件；
一對旋向相反的法拉第旋光器件，用于控制從光纖薩格納克干涉儀的入射偏振光的偏振方向旋轉，使其兩端入射的線偏振光分別旋向電光晶體由于電致雙折射而產生的兩個電感應軸主軸方向；
電光晶體器件，用于在外加調制電壓下產生電致雙折射效應；
電光晶體電感應主軸所在的平面與入射光的方向垂直；
控制上述兩個法拉第旋光器件的旋光角以及從外部入射其上偏振光的偏振方向，使其出射光的偏振方向分別旋向電光晶體由于電致使雙折射而產生的兩個電感應主軸方向；
通過外加調制電壓的變化來調制電光晶體的電光相位延遲，從而使得從不同端口通過相位調制器的線偏振光的相位差受到調制。
7.如權利要求6所述的一種裝置，其特征在于電光晶體器件的相位調制指數取值使得一階貝塞爾函數值最大。
8.如權利要求6所述的一種裝置，其特征在于電光晶體器件的電光晶體為鈮酸鋰晶體，用于通過橫向電光效應，在外加調制電壓的作用下產生電致雙折射。
9.如權利要求6所述的一種裝置，該裝置還包括兩個光纖準直器，用于連接兩個旋向相反的法拉第器件與光纖薩格納克干涉儀。
10.如權利要求6所述的一種裝置，該裝置還包括至少一個偏振器，所述至少一個偏振器用于控制法拉第旋光器件入口處光的偏振方向。
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