[發明專利]氣體控制系統、成膜裝置、存儲介質和氣體控制方法有效
| 申請號: | 201810178323.8 | 申請日: | 2018-03-05 |
| 公開(公告)號: | CN108570659B | 公開(公告)日: | 2021-11-16 |
| 發明(設計)人: | 坂口有平;志水徹;南雅和;林大介 | 申請(專利權)人: | 株式會社堀場STEC |
| 主分類號: | C23C16/448 | 分類號: | C23C16/448;C23C16/52 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人: | 李雪春;王維玉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氣體 控制系統 裝置 存儲 介質 控制 方法 | ||
1.一種氣體控制系統,向收容有材料的容器導入載氣,并且將所述材料氣化后的材料氣體與所述載氣一起從所述容器導出,
所述氣體控制系統的特征在于,
其包括控制部,所述控制部對所述載氣的流量進行控制,使濃度指標值接近預先確定的目標濃度指標值,所述濃度指標值直接或間接表示測量從所述容器導出的混合氣體而得到的所述混合氣體中的材料氣體濃度,
從向所述容器導入載氣至所述濃度指標值到達比所述預先確定的目標濃度指標值低的控制切換濃度指標值為止的期間,所述控制部進行控制所述載氣的流量以固定變化率變化的第一控制,
在所述濃度指標值成為所述控制切換濃度指標值之后,所述控制部進行第二控制,所述第二控制基于所述濃度指標值和所述目標濃度指標值的偏差來控制所述載氣的流量。
2.根據權利要求1所述的氣體控制系統,其特征在于,所述控制部在所述濃度指標值達到所述目標濃度指標值之前切換為所述第二控制。
3.根據權利要求1或2所述的氣體控制系統,其特征在于,在所述第一控制中,所述控制部參照開始導入所述載氣之后從所述容器導出的混合氣體的所述濃度指標值的初始變化率,設定所述固定變化率。
4.根據權利要求1或2所述的氣體控制系統,其特征在于,
所述氣體控制系統還具有初始變化率數據存儲部,所述初始變化率數據存儲部預先存儲有在各種條件下測量所述初始變化率的初始變化率數據,
在所述第一控制中,所述控制部參照所述初始變化率數據來設定所述固定變化率。
5.根據權利要求1或2所述的氣體控制系統,其特征在于,在所述第二控制中,當所述濃度指標值從處于包含所述目標濃度指標值的預先確定的目標濃度指標值范圍內的第一狀態或不在所述目標指標值范圍內的第二狀態中的任意一方向另一方轉移時,所述控制部使所述載氣的流量的變化率偏移規定值。
6.根據權利要求5所述的氣體控制系統,其特征在于,在所述第二控制中,當從所述第一狀態向所述第二狀態轉移時,所述控制部使所述載氣的流量的變化率以規定值變大的方式偏移,當從所述第二狀態向所述第一狀態轉移時,所述控制部使所述載氣的流量的變化率以規定值變小的方式偏移。
7.根據權利要求6所述的氣體控制系統,其特征在于,在所述第二控制的所述第一狀態或所述第二狀態中的任意一方或雙方中,所述控制部控制所述載氣的流量以固定變化率變化。
8.根據權利要求6所述的氣體控制系統,其特征在于,
所述第二控制是PID控制,
在所述第二控制的PID控制中,與所述第一狀態相比,所述控制部將所述第二狀態的比例增益設定為較大的值。
9.根據權利要求6所述的氣體控制系統,其特征在于,在所述第二控制中,所述控制部將所述第一狀態的所述載氣的流量的變化率控制為0。
10.根據權利要求1或2所述的氣體控制系統,其特征在于,在所述第一控制和所述第二控制之間,所述控制部進行將所述載氣的流量的變化率控制為0的第三控制。
11.根據權利要求1或2所述的氣體控制系統,其特征在于,在所述第一控制和所述第二控制之間,所述控制部進行第四控制,所述第四控制基于所述濃度指標值和所述目標濃度指標值的偏差對所述載氣的流量進行PID控制。
12.根據權利要求11所述的氣體控制系統,其特征在于,與所述第四控制的PID控制相比,所述控制部將所述第二控制的PID控制的比例增益設定為較小的值。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





