[發明專利]動態隨機存取存儲器及其制造方法

有效

• 申請號: 201810178259.3
• 申請日: 2018-03-05
• 公開（公告）號: CN108878442B
• 公開（公告）日: 2021-01-26
• 發明（設計）人: 竹迫壽晃;田中義典
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/1159
• 分類號: H01L27/1159
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

1.一種動態隨機存取存儲器，其特征在于，包括：

基底，具有多個有源區，所述有源區配置成帶狀且排列成一陣列；

多個隔離結構，位于所述基底中且沿著第一方向延伸，其中各所述隔離結構設置于兩個相鄰的所述有源區之間；

多個導體結構組，沿著所述第一方向平行配置于所述基底上，其中各所述導體結構組與排列成同一行的各所述有源區相連，以于各所述有源區上形成第一接觸區與第二接觸區；

多個位線結構，沿著第二方向平行配置于所述基底上，其中所述位線結構貫穿所述導體結構組，且各所述位線結構與排列成同一行的所述有源區相連，以于所述第一接觸區與所述第二接觸區之間形成第三接觸區，其中各所述位線結構平行于所述第一方向的頂面寬度與底面寬度實質上相同，且各所述位線結構平行于所述第一方向的寬度小于所述有源區的短邊的寬度；以及

多個間隙壁，沿著所述第二方向平行配置于所述位線結構的側壁上，以電性隔離所述位線結構與所述導體結構組。

2.根據權利要求1所述的動態隨機存取存儲器，其特征在于，還包括多個字線組，其位于所述基底中且沿著所述第一方向延伸，其中各所述字線組具有兩個埋入式字線，且所述兩個埋入式字線夾住排列成同一行的所述有源區的所述第三接觸區。

3.根據權利要求1所述的動態隨機存取存儲器，其特征在于，各所述位線結構包括位線接觸窗、位線以及蓋層，所述位線接觸窗位于所述位線與所述第三接觸區之間，以電性連接所述位線與所述第三接觸區。

4.根據權利要求3所述的動態隨機存取存儲器，其特征在于，所述位線接觸窗包括多晶硅層、外延硅層或其組合，

其中所述間隙壁包括單層結構、雙層結構或多層結構，所述間隙壁的材料包括氧化硅、空氣間隙、氮化硅或其組合。

5.根據權利要求1所述的動態隨機存取存儲器，其特征在于，與所述第一接觸區以及所述第二接觸區接觸的所述導體結構組為電容器接觸窗，所述電容器接觸窗的材料包括多晶硅、硅鍺、碳化硅或其組合。

6.根據權利要求1所述的動態隨機存取存儲器，其特征在于，相鄰兩行的所述有源區呈鏡像配置。

7.一種動態隨機存取存儲器的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底具有多個有源區，所述有源區配置成帶狀且排列成一陣列；

于所述基底中形成多個隔離結構，所述隔離結構沿著第一方向延伸，且各所述隔離結構設置于兩個相鄰的所述有源區之間；

于所述基底上形成多個導體結構組，所述導體結構組沿著所述第一方向延伸，且各所述導體結構組與排列成同一行的各所述有源區接觸，以于各所述有源區上形成第一接觸區與第二接觸區；

形成多個開口，所述開口沿著第二方向延伸且暴露出部分所述有源區；

于所述開口的側壁上形成多個間隙壁，所述間隙壁沿著所述第二方向延伸；以及

于所述開口的所述間隙壁之間形成多個位線結構，各所述位線結構與排列成同一行的部分所述有源區相連，以于所述第一接觸區與所述第二接觸區之間形成第三接觸區，其中各所述位線結構平行于所述第一方向的頂面寬度與底面寬度實質上相同，且各所述位線結構平行于所述第一方向的寬度小于所述有源區的短邊的寬度。

8.根據權利要求7所述的動態隨機存取存儲器的制造方法，其特征在于，在形成所述開口之前，還包括于所述導體結構組上形成一介電層，其中所述介電層填入所述導體結構組之間的空間，使得所述開口貫穿所述導體結構組與所述介電層。

9.根據權利要求7所述的動態隨機存取存儲器的制造方法，其特征在于，所述位線結構的形成方法包括化學氣相沉積法、選擇性外延成長法或其組合。