[發(fā)明專利]高頻放大器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810175891.2
• 申請日: 2013-03-04
• 公開（公告）號: CN108282152B
• 公開（公告）日: 2021-07-27
• 發(fā)明（設計）人: 竹中功
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H03F1/22
• 分類號: H03F1/22;H03F1/32;H03F1/34;H03F3/193;H03F3/26
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 陳偉;李文嶼

1.一種高頻放大器，其特征在于，包括：

第1晶體管，其源極接地；

第2晶體管，其與所述第1晶體管構成柵地-陰地放大器電路；

串聯(lián)電路，其連接于所述第2晶體管的柵極和接地之間，且第1電阻元件及串聯(lián)共振電路串聯(lián)連接；以及

第2電阻元件，其與所述串聯(lián)電路并聯(lián)連接，

所述串聯(lián)共振電路由LC電路構成，

所述高頻放大器還包括各LC元件的值不同的多個所述串聯(lián)電路，各個所述串聯(lián)電路連接于所述第2晶體管的柵極和接地之間，

使多個所述串聯(lián)電路所包含的所述第1電阻元件各自的電阻值為所述第2電阻元件的電阻值以下，且多個所述串聯(lián)電路所包含的所述第1電阻元件各自的電阻值互不相同，

第1晶體管的柵極連接于輸入端子，

第2晶體管的漏極連接于輸出端子，

輸入端子被輸入高頻信號，從輸出端子輸出被放大的所述高頻信號。

2.根據(jù)權利要求1所述的高頻放大器，其特征在于，

在使所述第1電阻元件及第2電阻元件的電阻值分別為R1、R2，使所述第2晶體管的跨導為gm的情況下，滿足1/gm＜R1≦R2＜

30/gm。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的高頻放大器，其特征在于，

構成所述串聯(lián)共振電路的LC電路分別包括第1電感元件和第1電容元件，

所述第1電感元件的值和第1電容元件的值被設定為：在所述高頻放大器的使用頻率頻帶的高頻側的頻率中為串聯(lián)共振條件。

4.根據(jù)權利要求1或2所述的高頻放大器，其特征在于，

所述高頻放大器包括第3電阻元件和第2電容元件，

所述第3電阻元件連接于所述第1晶體管的源極和接地之間，

所述第2電容元件連接于所述第1晶體管的源極和接地之間。

5.根據(jù)權利要求1或2所述的高頻放大器，其特征在于，

所述高頻放大器包括第4電阻元件和第3電容元件，

所述第4電阻元件和第3電容元件構成串聯(lián)連接的反饋串聯(lián)電路，所述反饋串聯(lián)電路的一端連接于所述輸入端子，另一端連接于所述輸出端子。

6.根據(jù)權利要求1或2所述的高頻放大器，其特征在于，

第2晶體管的耐壓低于第1晶體管的耐壓。

7.根據(jù)權利要求1或2所述的高頻放大器，其特征在于，

第1電感元件由鍵合線構成。