[發明專利]一種單晶硅太陽能電池及其制造方法

有效

• 申請號: 201810175820.2
• 申請日: 2018-03-02
• 公開（公告）號: CN108281512B
• 公開（公告）日: 2019-11-12
• 發明（設計）人: 張軍
• 申請（專利權）人: 寧波歐達光電有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/04;H01L31/0236;H01L31/028
• 代理公司: 慈溪夏遠創科知識產權代理事務所(普通合伙) 33286
• 代理人: 陳伯祥

1.一種單晶硅太陽能電池的制造方法，其特征在于：包括以下步驟：

(1)在P型單晶硅片的上表面形成紋理化層；

(2)在所述P型單晶硅片的上表面形成N型硅層；

(3)在所述N型硅層上沉積氮化硅鈍化層，并對所述氮化硅鈍化層進行刻蝕處理以在預備形成上電極的區域形成開口，以暴露所述N型硅層；

(4)在所述P型單晶硅片的上表面旋涂含有乙酰烷氧基二異丙醇鋁的溶液，并進行退火處理，以在所述氮化硅鈍化層的表面和側面以及暴露的N型硅層的表面形成氧化鋁層；

(5)在所述P型單晶硅片的下表面依次旋涂含有硫化鎢二維納米材料的溶液和含有硫化鈦二維納米材料的溶液，并進行退火處理，以形成復合界面層；

(6)在所述P型單晶硅片的上表面形成上電極，并在所述P型單晶硅片的下表面形成下電極；

其中，在所述步驟(4)中，旋涂含有乙酰烷氧基二異丙醇鋁的溶液的次數為3-6次，且每次旋涂工序之后直接進行一次退火處理，然后再進行下一次的旋涂工序，含有乙酰烷氧基二異丙醇鋁的溶液中的乙酰烷氧基二異丙醇鋁的濃度為0.2-0.5mg/ml，每次旋涂的轉速為3000-5000轉/分鐘，每次旋涂的時間為1-5分鐘，每次退火處理的具體工藝為：在空氣中，在300-600℃的溫度下熱處理30-60分鐘；

其中，在所述步驟(5)中，含有硫化鎢二維納米材料的溶液中的硫化鎢二維納米材料的濃度為0.2-1mg/ml，含有硫化鈦二維納米材料的溶液中的硫化鈦二維納米材料的濃度為0.5-1.5mg/ml，旋涂的轉速為2000-4000轉/分鐘，每次旋涂的時間為1-3分鐘，退火處理的溫度是100-150℃，退火處理的時間為10-20分鐘。

2.根據權利要求1所述的單晶硅太陽能電池的制造方法，其特征在于：在所述步驟(2)中，通過熱擴散工藝向所述P型單晶硅片中擴散磷以形成N型磷摻雜層，或者通過離子注入工藝向所述P型單晶硅片中注入磷，并進行熱處理以形成N型磷摻雜層。

3.根據權利要求1所述的單晶硅太陽能電池的制造方法，其特征在于：在所述步驟(3)中，通過激光刻蝕工藝形成所述開口。

4.根據權利要求1所述的單晶硅太陽能電池的制造方法，其特征在于：在所述步驟(6)中，所述上電極的材質為銀，所述下電極的材質為鋁。

5.一種單晶硅太陽能電池，其特征在于，采用權利要求1-4任一項所述的方法制備形成的。