[發(fā)明專利]AlGaN/GaN HEMT器件歐姆接觸電極的制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810175259.8
• 申請日: 2018-03-02
• 公開（公告）號: CN108364864A
• 公開（公告）日: 2018-08-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李國強(qiáng);陳丁波;劉智崑;萬利軍
• 申請（專利權(quán)）人: 華南理工大學(xué)
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/285;H01L29/45
• 代理公司: 廣州市華學(xué)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44245
• 代理人: 陳文姬

1.AlGaN/GaN HEMT器件歐姆接觸電極的制備方法，其特征在于，沉積歐姆接觸電極前，采用ICP刻蝕的方法將歐姆接觸區(qū)域AlGaN勢壘層全部刻蝕；歐姆接觸電極沉積采用三層結(jié)構(gòu)的Al/Ti/Au結(jié)構(gòu)，與刻蝕側(cè)壁及底部GaN形成金半接觸界面的是Al。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AlGaN/GaN HEMT器件歐姆接觸電極的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)利用光刻技術(shù)，在AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)外延片表面制備出源漏歐姆接觸窗口；

(2)采用ICP刻蝕的方法，對歐姆接觸區(qū)域進(jìn)行干法刻蝕，完全去除AlGaN層，并刻蝕至GaN溝道層往下5～20nm處；

(3)在源漏區(qū)域依次沉積金屬Al層、金屬Ti層、金屬Au層；

(4)去膠剝離后，于600～750℃進(jìn)行合金退火處理，形成歐姆接觸電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的AlGaN/GaN HEMT器件歐姆接觸電極的制備方法，其特征在于，步驟(2)所述刻蝕深度為至GaN溝道5～20nm處。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的AlGaN/GaN HEMT器件歐姆接觸電極的制備方法，其特征在于，步驟(3)所述金屬Al層的厚度為10～20nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的AlGaN/GaN HEMT器件歐姆接觸電極的制備方法，其特征在于，步驟(3)所述金屬Ti層的厚度為20～60nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的AlGaN/GaN HEMT器件歐姆接觸電極的制備方法，其特征在于，步驟(3)所述屬Au層的厚度為40～100nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求4～6任一項(xiàng)所述的AlGaN/GaN HEMT器件歐姆接觸電極的制備方法，其特征在于，步驟(3)所述沉積為熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)或磁控濺射沉積。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的AlGaN/GaN HEMT器件歐姆接觸電極的制備方法，其特征在于，步驟(4)所述退火處理為在氮?dú)鈿夥栈蛘婵罩羞M(jìn)行合金退火，退火時間為60～120s。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的AlGaN/GaN HEMT器件歐姆接觸電極的制備方法，其特征在于，所述真空的真空度為10^-2Pa以下。