[發明專利]顯示器有效
| 申請號: | 201810174029.X | 申請日: | 2018-03-02 |
| 公開(公告)號: | CN108695354B | 公開(公告)日: | 2020-08-11 |
| 發明(設計)人: | 林小郎;陳嘉源;樂瑞仁;李冠鋒;蔡宗翰 | 申請(專利權)人: | 群創光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139 | 代理人: | 孫皓晨;侯奇慧 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示器 | ||
1.一種顯示器,其特征在于,包括:
一第一顯示單元,在一最高灰階的操作下具有一第一輸出光,所述第一輸出光具有一第一輸出光譜;以及
一第二顯示單元,在所述最高灰階的操作下具有一第二輸出光,所述第二輸出光具有一第二輸出光譜;
其中所述第一輸出光譜在507納米到555納米的范圍之內的最大峰值定義為一第一峰值,所述第一峰值對應一第一波長,所述第一輸出光譜與所述第二輸出光譜的混合光譜形成一混合輸出光譜,所述混合輸出光譜在507納米到555納米的范圍之內的最大峰值定義為一混合峰值,所述混合峰值對應一混合波長,且所述第一波長不等于所述混合波長。
2.如權利要求1所述的顯示器,其特征在于,所述第一波長與所述混合波長的波長差的范圍為1納米到5納米。
3.如權利要求1所述的顯示器,其特征在于,所述混合波長的范圍為521納米到541納米。
4.如權利要求1所述的顯示器,其特征在于,所述第一輸出光譜由380納米到780納米范圍的強度積分定義為一第一強度積分,所述第二輸出光譜由494納米到580納米范圍的強度積分定義為一第二強度積分,所述第二強度積分對所述第一強度積分的比值定義為一第一比值,且所述第一比值大于0%且小于或等于26.0%。
5.如權利要求4所述的顯示器,其特征在于,還包括一第三顯示單元,其中所述第三顯示單元在所述最高灰階的操作下具有一第三輸出光,所述第三輸出光具有一第三輸出光譜,所述第三輸出光譜由380納米到780納米范圍的強度積分定義為一第三強度積分,所述第二強度積分對所述第三強度積分的比值定義為一第二比值,且所述第二比值大于0%且小于或等于28.0%。
6.如權利要求1所述的顯示器,其特征在于,所述第二輸出光譜在494納米到580納米范圍的最大峰值定義為一調節峰值,所述調節峰值對應于一調節波長,且所述第一波長大于所述調節波長。
7.如權利要求1所述的顯示器,其特征在于,所述第一輸出光譜在380納米到780納米范圍的強度積分定義為一第一強度積分,所述第二輸出光譜由511納米到597納米范圍的強度積分定義為一第四強度積分,所述第四強度積分對所述第一強度積分的比值定義為一第三比值,且所述第三比值大于0%且小于或等于25.0%。
8.如權利要求7所述的顯示器,其特征在于,還包括一第三顯示單元,其中所述第三顯示單元在所述最高灰階的操作下具有一第三輸出光,所述第三輸出光具有一第三輸出光譜,所述第三輸出光譜由380納米到780納米范圍的強度積分定義為一第三強度積分,所述第四強度積分對所述第三強度積分的比值定義為一第四比值,且所述第四比值大于0%且小于或等于29.0%。
9.如權利要求1所述的顯示器,其特征在于,所述第二輸出光譜在511納米到597納米范圍之內的最大峰值定義為一調節峰值,所述調節峰值對應一調節波長,且所述調節波長大于所述第一波長。
10.如權利要求1所述的顯示器,其特征在于,還包括:
一第一基板;
一第二基板,與所述第一基板相對設置;
一光調變層,設置在所述第一基板與所述第二基板之間;以及
一背光模塊,與所述第一基板相鄰設置;
其中所述第一顯示單元與所述第二顯示單元分別包括所述背光模塊的一部分以及所述光調變層的一部分。
11.如權利要求10所述的顯示器,其特征在于,還包括一光轉換層,其中所述光轉換層設置在所述背光模塊與所述第一基板之間或設置在所述第二基板相反于所述光調變層的一表面上,且所述第一顯示單元與所述第二顯示單元還分別包括部分所述光轉換層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





