[發明專利]一種晶界擴散制備高矯頑力塊狀錳鉍納米磁體的方法

有效

• 申請號: 201810173215.1
• 申請日: 2018-03-02
• 公開（公告）號: CN108400009B
• 公開（公告）日: 2019-09-10
• 發明（設計）人: 泮敏翔;吳瓊;張朋越;葛洪良
• 申請（專利權）人: 中國計量大學
• 主分類號: H01F41/02
• 分類號: H01F41/02;H01F1/055
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種晶界擴散制備高矯頑力塊狀錳鉍納米磁體的方法，其特征在于包括如下步驟：

1）將純度為99.99%以上的Mn、Bi合金，按照合金摩爾組成Mn_yBi_100-y進行稱重配料，其中y=46或52或58或64，將稱得的目標成分原料進行真空熔煉，將合金反復熔煉3-5次獲得成分均勻的母合金鑄錠，然后在快淬爐中制成薄帶；

2）將步驟1）制得的Mn_yBi_100-y快淬薄帶進行真空熱處理，獲得相應的納米晶合金；

3）將低熔點稀土四元ReAlSnZn合金成分以原子百分含量稱重配料，然后將已配好的原料密封于抽真空的石英管內，并置于550~650 ℃的電阻爐中進行1小時的保溫熔煉，獲得成分均勻的母合金錠子，然后在快淬爐中制成薄帶；

4）將步驟2）制得的Mn_yBi_100-y快淬薄帶和步驟3）制得的ReAlSnZn快淬薄帶按一定比例混合，經高能球磨獲得均勻混合的納米復合粉末；

5）利用熱壓法將步驟4）所制得的納米復合粉末壓制成塊狀錳鉍納米磁體。

2.根據權利要求1 所述的晶界擴散制備高矯頑力塊狀錳鉍納米磁體的方法，其特征在于：步驟（1）和（3）中所述的快淬爐腔體壓力為0.06 MPa，噴射壓力差為0.06~0.12 MPa，輥輪的線速度為10~50 m/s。

3.根據權利要求1 所述的晶界擴散制備高矯頑力塊狀錳鉍納米磁體的方法，其特征在于：步驟（2）中所述的真空熱處理的具體工藝參數為：真空度優于4×10^-4 Pa，退火溫度為250℃~400 ℃，退火時間為0.5~1小時。

4.根據權利要求1 所述的晶界擴散制備高矯頑力塊狀錳鉍納米磁體的方法，其特征在于：步驟（3）中所述的低熔點稀土四元ReAlSnZn合金成分的原子百分比為Re_aAl_bSn_100-a-b-cZn_c，Re為稀土元素Ce、La、Pr中的一種或幾種；a、b、c滿足一下關系：0.1≤a≤1，0.5≤b≤1.5，5≤c≤10。

5.根據權利要求1 所述的晶界擴散制備高矯頑力塊狀錳鉍納米磁體的方法，其特征在于：步驟（3）中所述的保溫熔煉的具體工藝參數為：每隔5分鐘搖晃石英管，以確保母合金成分均勻。

6.根據權利要求1 所述的晶界擴散制備高矯頑力塊狀錳鉍納米磁體的方法，其特征在于：步驟（4）中ReAlSnZn快淬薄帶占總重量比例為1~15 wt.%。

7.根據權利要求1 所述的晶界擴散制備高矯頑力塊狀錳鉍納米磁體的方法，其特征在于：步驟（5）中所述的熱壓的具體工藝參數為：真空度優于4×10^-4 Pa，溫度為150~250 ℃，壓力為40~120 MPa，保溫時間為5~10分鐘。