[發(fā)明專利]聚酰亞胺薄膜的制備方法和基板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810172499.2 | 申請日: | 2018-03-01 |
| 公開(公告)號: | CN110218315B | 公開(公告)日: | 2021-03-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 曾彩萍;金鷹;薛馳 | 申請(專利權(quán))人: | 中天電子材料有限公司 |
| 主分類號: | C08G73/10 | 分類號: | C08G73/10;C08J5/18;C08L79/08;H01L23/14 |
| 代理公司: | 深圳市賽恩倍吉知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44334 | 代理人: | 彭輝劍;習(xí)冬梅 |
| 地址: | 226010 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 聚酰亞胺 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種聚酰亞胺薄膜的制備方法,其特征在于:包括由含酯基芳香族二胺、剛性芳香族二胺和芳香族二酐構(gòu)成的聚酰胺酸經(jīng)化學(xué)亞胺化而得到聚酰亞胺的步驟,所述聚酰亞胺的分子主鏈中引入不同含量的酯基以實現(xiàn)對其熱膨脹系數(shù)的調(diào)控,其中所述含酯基芳香族二胺與所述剛性芳香族二胺的克分子配比范圍為1:99至50:50。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚酰亞胺薄膜的制備方法,其特征在于:包括以下步驟:
S1)將包括含酯基芳香族二胺的芳香族二胺原料制成均相芳香族二胺溶液,加入芳香族二酐和/或剛性芳香族二胺后反應(yīng)形成粘度為10000mPa.s至1000000mPa.s范圍內(nèi)的聚酰胺酸;
S2)將步驟S1中得到的所述聚酰胺酸與化學(xué)亞胺化試劑混合,形成聚酰胺酸/化學(xué)亞胺化試劑混合溶液;
S3)將步驟S2中得到的所述聚酰胺酸/化學(xué)亞胺化試劑混合溶液進(jìn)行過濾、脫泡處理后擠出涂覆于支撐物表面形成聚酰胺酸膠膜,經(jīng)脫模處理將所述聚酰胺酸膠膜從支撐物表面剝離得到自支撐聚酰胺酸/聚酰亞胺(PAA/PI)混合樹脂膠膜;
S4)將步驟S3中得到的所述自支撐聚酰胺酸/聚酰亞胺(PAA/PI)混合樹脂膠膜經(jīng)熱處理完成亞胺化過程,得到聚酰亞胺初級薄膜;
S5)將步驟S4中得到的所述聚酰亞胺初級薄膜經(jīng)退火處理,得到拉伸模量不低于4.5GPa、50℃~200℃下熱膨脹系數(shù)為1ppm/℃~20ppm/℃的聚酰亞胺薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的聚酰亞胺薄膜的制備方法,其特征在于:構(gòu)成化學(xué)亞胺化試劑的組分包括有機酸酐脫水劑和有機堿催化劑,其中:
所述有機酸酐脫水劑與所述芳香族二酐的克分子配比范圍為1:1至10:1,
所述有機酸酐脫水劑與所述有機堿催化劑的克分子配比范圍為1:1至10:1。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚酰亞胺薄膜的制備方法,其特征在于:所述含脂基芳香族二胺包括雙(4-氨基苯基)對苯二甲酸酯(BPTP)、雙(2-三氟甲基-4-氨基苯基)對苯二甲酸酯(3FBPTP)、雙(2-氟-4-氨基苯基)對苯二甲酸酯(F-BPTP)中的一種或按任意比例混合而成的混合物;所述剛性芳香族二胺包括1,4-對苯二胺(PDA),4,4’-聯(lián)苯二胺中的一種或按任意比例混合而成的混合物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚酰亞胺薄膜的制備方法,其特征在于:所述芳香族二酐包括3,3’,4,4’-聯(lián)苯四酸二酐(BPDA),均四苯甲酸二酐(PMDA),3,3’,4,4’-二苯甲酮四酸二酐(BTDA)中的一種或按任意比例混合而成的混合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的聚酰亞胺薄膜的制備方法,其特征在于:所述有機酸酐脫水劑包括乙酸酐、丙酸酐、丁酸酐、苯酸酐、馬來酸酐中的一種或按任意比例混合而成的混合物。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的聚酰亞胺薄膜的制備方法,其特征在于:所述有機堿催化劑包括異喹啉、吡啶、2-甲基吡啶、3-甲基吡啶中的一種或按任意比例混合而成的混合物。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的聚酰亞胺薄膜的制備方法,其特征在于:構(gòu)成化學(xué)亞胺化試劑的組分還包括有機溶劑,所述有機溶劑包括DMF、DMAc、NMP中的一種或按任意比例混合而成的混合物。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的聚酰亞胺薄膜的制備方法,其特征在于:步驟S3中所述脫模處理的反應(yīng)溫度為40℃~200℃,反應(yīng)時間為1min~50min;步驟S4中所述熱處理溫度為200℃~450℃;步驟S5中所述退火處理過程先升溫再降溫,處理溫度為100℃~550℃。
10.一種基板,用于柔性光電基板和多層電子封裝基板,其特征在于:采用如權(quán)利要求1至9中任一項所述的聚酰亞胺薄膜的制備方法得到的聚酰亞胺薄膜作為所述基板的基膜材料。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中天電子材料有限公司,未經(jīng)中天電子材料有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810172499.2/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C08G 用碳-碳不飽和鍵以外的反應(yīng)得到的高分子化合物
C08G73-00 不包括在C08G 12/00到C08G 71/00組內(nèi)的,在高分子主鏈中形成含氮的鍵合,有或沒有氧或碳鍵合反應(yīng)得到的高分子化合物
C08G73-02 .聚胺
C08G73-06 .在高分子主鏈中有含氮雜環(huán)的縮聚物;聚酰肼;聚酰胺酸或類似的聚酰亞胺母體
C08G73-24 .氟代亞硝基有機化合物與另一氟有機化合物的共聚物,如亞硝基橡膠
C08G73-26 ..三氟亞硝基甲烷與氟-烯烴
C08G73-08 ..聚酰肼;聚三唑;聚氨基三唑;聚二唑





