[發明專利]一種高熱導率、高致密性氮化硅材料的高壓快速制備方法

有效

• 申請號: 201810172165.5
• 申請日: 2018-03-01
• 公開（公告）號: CN108191434B
• 公開（公告）日: 2020-09-18
• 發明（設計）人: 賈洪聲;鄂元龍;李海波;賀雪蓮;李加琦;牛瑞;趙興
• 申請（專利權）人: 吉林師范大學
• 主分類號: C04B35/596
• 分類號: C04B35/596;C04B35/593
• 代理公司: 吉林省長春市新時代專利商標代理有限公司 22204
• 代理人: 曲德鳳

1.一種高熱導率、高致密性氮化硅材料的高壓快速制備方法，其特征在于：該方法包括以下步驟：

①、選取骨架材料β-Si₃N₄和燒結助劑材料作為燒結初始材料；

②、將①中骨架材料β-Si₃N₄和燒結助劑材料經過混料、壓塊、組件、真空熱處理、葉臘石合成塊烘烤、組裝、高壓高溫合成這些程序完成氮化硅塊體材料的制備；

所述燒結助劑材料為金剛石，所述的燒結助劑材料平均粒徑為0.5-20μm；

所述混料、壓塊、組件、真空熱處理、葉臘石合成塊組裝、高壓高溫合成過程是將①中按比例選擇的混合粉末經過混料機1h至均勻混合，四柱壓機壓塊成型，放入石墨腔進行真空300-600℃熱處理0.5-1h后，將塊體材料放入葉臘石合成塊中組裝，組裝前葉臘石需280℃烘烤6小時至自然冷卻，最后在六面頂壓機上進行高壓高溫一次合成，條件為4.5～5.5GPa，1400～1500℃，加熱時間為5-30min，最后停溫泄壓取出塊體材料。

2.根據權利要求1所述的一種高熱導率、高致密性氮化硅材料的高壓快速制備方法，其特征在于：所述的β-Si₃N₄粉末要求通過酸堿處理處理掉雜質，平均粒徑≥0.5μm的一種粒度或者多種粒度的組合；將上述均勻的混合粉末壓塊成型后，β-Si₃N₄粉末所占的質量比例為80-95份，燒結助劑粉末所占的質量比例為5-20份。