[發(fā)明專利]波導(dǎo)耦合型D型細(xì)芯光纖高速電光信號(hào)強(qiáng)度調(diào)制器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810171903.4
• 申請(qǐng)日: 2018-03-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108333800A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-07-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 裴麗;阮祖亮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京交通大學(xué)
• 主分類號(hào): G02F1/035
• 分類號(hào): G02F1/035;G02F1/03
• 代理公司: 北京衛(wèi)平智業(yè)專利代理事務(wù)所(普通合伙) 11392
• 代理人: 謝建玲;郝亮

1.波導(dǎo)耦合型D型細(xì)芯光纖高速電光信號(hào)強(qiáng)度調(diào)制器，如圖1所示，其特征在于：該結(jié)構(gòu)包括D型細(xì)芯光纖1、正電極2、電光聚合物層3、負(fù)電極4、硅凹槽基底5。

具體組合方式為：負(fù)電極4覆于硅凹槽基底5凹槽位置，電光聚合物層3在負(fù)電極4之上。正電極2覆于電光聚合物層3、上表面與硅凹槽基底上邊面齊平。D型細(xì)芯光纖1拋光面置于正電極2之上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波導(dǎo)耦合型D型細(xì)芯光纖高速電光信號(hào)調(diào)制器，其特征在于：

D型細(xì)芯光纖1的直徑為125um，纖芯半徑為2um，拋光面距離芯子為11um。

正電極2的厚度3.5nm，寬128um。

電光聚合物3的厚度5.458um，寬128um。

負(fù)電極4的厚度3.5nm，寬128um

硅凹槽基底5的溝槽厚度5.5um，，溝槽寬度128um，基底下部厚度大于10um。

經(jīng)過(guò)上述設(shè)置，通過(guò)調(diào)節(jié)正電極2和負(fù)電極4的電壓差產(chǎn)生電信號(hào)，產(chǎn)生高速光信號(hào)，通過(guò)改變周期內(nèi)無(wú)電壓的時(shí)間長(zhǎng)度可以控制脈沖寬度。