[發明專利]半導體裝置在審
| 申請號: | 201810171248.2 | 申請日: | 2018-03-01 |
| 公開(公告)號: | CN109801893A | 公開(公告)日: | 2019-05-24 |
| 發明(設計)人: | 納都漢;樸松森;金德宮 | 申請(專利權)人: | 艾馬克科技公司 |
| 主分類號: | H01L23/498 | 分類號: | H01L23/498;H01L23/31;H01L25/00;H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京寰華知識產權代理有限公司 11408 | 代理人: | 林柳岑;穆文通 |
| 地址: | 美國亞利桑那州85*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體晶粒 半導體裝置 重新分布 囊封物 電性連接 通孔 傳導 | ||
一種半導體裝置,其包括:第一半導體晶粒;第一囊封物,其圍繞第一半導體晶粒;以及第一重新分布結構,其被形成在第一半導體晶粒和第一囊封物上。半導體裝置進一步包括:第二半導體晶粒;第二囊封物,其圍繞第二半導體晶粒;以及第二重新分布結構,其被形成在第二半導體晶粒和第二囊封物上。半導體裝置亦包括:傳導通孔,其將第一重新分布結構電性連接至第二重新分布結構。
技術領域
本發明揭示的各種態樣是有關于半導體裝置。
背景技術
半導體封裝保護集成電路或晶片免于受到物理性損壞和外部應力所影響。此外,半導體封裝可以提供熱傳導路徑以有效去除晶片中所產生的熱,并且舉例而言還提供到其他構件的電連接(諸如印刷電路板)。用于半導體封裝的材料通常包括陶瓷或塑料,并且形狀因素已經從陶瓷扁平裝配和雙列直插封裝發展到接腳柵格陣列和無接腳晶片載體封裝等等。
通過將這樣的系統與如本申請案的其余部分中參照附圖所闡述的本揭示的一些態樣進行比較,現有和傳統方法的其他限制和缺點對于本領域技術人士而言將變得顯而易見。
發明內容
本發明的態樣提供一種半導體裝置,其包括:第一半導體晶粒,其第一表面、相對于所述第一半導體晶粒的所述第一表面的第二表面以及形成在所述第一半導體晶粒的所述第一表面的第一接合墊;第一囊封物,其圍繞所述第一半導體晶粒并且包括相鄰所述第一半導體晶粒的所述第一表面的第一表面;第一重新分布結構,其形成在所述第一半導體晶粒的所述第一表面和所述第一囊封物的所述第一表面上;第二半導體晶粒,其包括第一表面、相對于所述第二半導體晶粒的所述第一表面的第二表面以及形成在所述第二半導體晶粒的所述第一表面的第二接合墊;第二囊封物,其圍繞所述第二半導體晶粒并且包括相鄰所述第二半導體晶粒的所述第一表面的第一表面;第二重新分布結構,其形成在所述第二半導體晶粒的所述第一表面和所述第二囊封物的所述第一表面上;以及傳導通孔,其延伸穿過所述第一囊封物和所述第二囊封物以將所述第一重新分布結構電性連接至所述第二重新分布結構。所述半導體裝置中,所述第一囊封物進一步包括與所述第一囊封物的所述第一表面相對的第二表面;所述第二囊封物進一步包括與所述第二囊封物的所述第一表面相對的第二表面;以及所述第一囊封物的所述第二表面被黏附至所述第二囊封物的所述第二表面。所述半導體裝置進一步包括在所述第一囊封物的所述第二表面和所述第二囊封物的所述第二表面之間的黏合層。所述半導體裝置中,所述第一半導體晶粒的所述第二表面與所述第二半導體晶粒的所述第二表面相隔開。所述半導體裝置中,所述第一半導體晶粒的所述第二表面被黏附至所述第二半導體晶粒的所述第二表面。所述半導體裝置中,所述第一半導體晶粒包括邏輯晶粒、微控制單元、記憶體、數位信號處理器、網路處理器、電源管理單元、音頻處理器、RF電路、晶片處理器上的無線基頻系統以及特殊應用集成電路中的一個;以及所述第二半導體晶粒包括指紋感測器、光學感測器、壓力感測器、加速計、陀螺儀感測器和微機電系統(MEMS)裝置中的一個。所述半導體裝置進一步包括形成在所述第一重新分布結構上的外部互連結構。所述半導體裝置中,所述外部互連結構包括以下中的一個:金屬柱、焊料凸塊、焊球、焊盤和可撓性電路板。所述半導體裝置中,所述第一重新分布結構包括:金屬層,其形成在所述第一半導體晶粒的所述第一表面和所述第一囊封物的所述第一表面上,所述金屬層將所述第一半導體晶粒的所述接合墊電性連接至所述傳導通孔;以及介電層,其形成所述第二重新分布結構的所述金屬層上;并且所述第二重新分布結構包括:金屬層,其形成在所述第二半導體晶粒的所述第一表面和所述第二囊封物的所述第一表面上并且將所述第二半導體晶粒的所述接合墊電性連接至所述傳導通孔;以及介電層,其形成所述第二重新分布結構的所述金屬層上。所述半導體裝置中,所述傳導通孔將所述第一重新分布結構的所述金屬層電性連接至所述第二重新分布結構的所述金屬層。所述半導體裝置進一步包括形成在所述第一重新分布結構上的所述金屬層上的外部互連結構。所述半導體裝置中,所述第二重新分布結構將所述第二半導體晶粒的所述第二表面的一區域暴露至所述半導體裝置外部。
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