[發明專利]一種柔性可彎曲的氧化亞銅薄膜及其制備方法和應用在審
| 申請號: | 201810170784.0 | 申請日: | 2018-03-01 |
| 公開(公告)號: | CN108585019A | 公開(公告)日: | 2018-09-28 |
| 發明(設計)人: | 徐偉;夏鵬 | 申請(專利權)人: | 復旦大學 |
| 主分類號: | C01G3/02 | 分類號: | C01G3/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 上海正旦專利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陸飛;陸尤 |
| 地址: | 200433 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜 氧化亞銅薄膜 硫氰酸亞銅 可彎曲的 制備方法和應用 浸入 堿溶液 無機半導體薄膜 氧化亞銅納米線 化學反應原位 硫氰酸鹽溶液 塑料基底表面 化學反應 規?;a 沉積銅膜 功能薄膜 柔性功能 柔性基底 柔性器件 原位形成 可折疊 耐彎曲 塑料基 前體 銅膜 制備 浸泡 應用 | ||
1.一種柔性可彎曲的氧化亞銅薄膜的制備方法,其特征在于,以硫氰酸亞銅薄膜為前體,在堿溶液中浸泡處理,通過化學反應原位制備;具體步驟為:
在柔性基底上先沉積銅膜,銅膜厚度為50-200納米;然后將銅膜浸入到硫氰酸鹽溶液中,硫氰酸鹽溶液的濃度為0.5~50 毫摩爾/升,浸泡1~24小時,通過化學反應在塑料基底上形成硫氰酸亞銅薄膜;然后用去離子水充分洗滌,再將硫氰酸亞銅薄膜浸入到堿溶液中反應1~24小時,堿溶液的濃度為5~20毫摩爾/升;取出薄膜,用去離子水充分洗滌,再干燥,即得到在塑料基底表面上原位形成的氧化亞銅納米線薄膜。
2.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述柔性基底采用塑料基底、金屬箔、織物、紙質基底之一種。
3.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述硫氰酸鹽采用硫氰酸銨、硫氰酸鈉、硫氰酸鉀、硫氰酸鋰之一種,或者其中幾種的混合物。
4.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述堿溶液采用氫氧化鈉、氫氧化鉀之一種。
5.一種由權利要求1-4之一所述制備方法得到的柔性可彎曲的氧化亞銅薄膜,由氧化亞銅納米線自發堆積形成,納米線寬度小于80納米,長度能超過1微米。
6.如權利要求5所述的柔性可彎曲的氧化亞銅薄膜作為柔性功能材料在柔性器件領域中的應用。
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