[發(fā)明專利]一種高頻內(nèi)窺超聲換能器用壓電陣元的制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810170086.0 | 申請日： | 2018-03-01 |
| 公開（公告）號： | CN108354630A | 公開（公告）日： | 2018-08-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 費(fèi)春龍;劉治勇;林鵬飛;李迪;楊銀堂 | 申請（專利權(quán)）人： | 西安電子科技大學(xué);陜西博縱電子科技有限公司 |
| 主分類號： | A61B8/12 | 分類號： | A61B8/12 |
| 代理公司： | 北京天奇智新知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11340 | 代理人： | 陳新勝 |
| 地址： | 710071*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 壓電陣元 環(huán)氧樹脂 環(huán)氧樹脂層 陣元 超聲 換能 開槽 內(nèi)窺 填充 切割 環(huán)氧樹脂固化 背襯層表面 導(dǎo)線接觸 固定導(dǎo)線 均勻包裹 工藝流程 初始陣 換能器 良品率 匹配層 切割縫 槽深 覆蓋 環(huán)氧 切槽 涂覆 固化 制備 制作 裝配 | ||
1.一種高頻內(nèi)窺超聲換能器用壓電陣元的制作方法，其特征在于，包括如下操作：
S1：制備初始陣元；
S2：將初始陣元切割成各個相互分離的陣元塊，采用環(huán)氧樹脂對陣元塊之間的切割縫進(jìn)行填充并對陣元塊的匹配層表面進(jìn)行覆蓋，待環(huán)氧樹脂固化后再在陣元塊的背襯層表面涂覆環(huán)氧樹脂形成下環(huán)氧樹脂層，下環(huán)氧樹脂層固化后，在下環(huán)氧樹脂層的表面進(jìn)行開槽，開槽的槽深大于下環(huán)氧樹脂層的厚度，然后切割得到各個壓電陣元，壓電陣元是外表面被環(huán)氧樹脂均勻包裹陣元塊，開槽在壓電陣元的下表面上形成長條形的卡槽，卡槽的中心線與陣元塊的中心處于同一鉛垂面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻內(nèi)窺超聲換能器用壓電陣元的制作方法，其特征在于：初始陣元包括壓電材料，壓電材料的上、下表面分別設(shè)置上電極和下電極，上電極上設(shè)置匹配層，下電極上設(shè)置背襯層，壓電材料為壓電單晶材料PMN-PT構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高頻內(nèi)窺超聲換能器用壓電陣元的制作方法，其特征在于：背襯層為導(dǎo)電材料E-solder 3022構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高頻內(nèi)窺超聲換能器用壓電陣元的制作方法，其特征在于：匹配層包括上電極上設(shè)置的第一匹配層以及第一匹配層上設(shè)置的第二匹配層，第一匹配層由摻有金屬顆粒的環(huán)氧樹脂構(gòu)成，第二匹配層由高分子聚合物構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻內(nèi)窺超聲換能器用壓電陣元的制作方法，其特征在于：陣元塊的大小為0.4mm×0.4mm，相鄰陣元塊之間的間距為0.1mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻內(nèi)窺超聲換能器用壓電陣元的制作方法，其特征在于：壓電陣元上環(huán)氧樹脂的厚度為0.025m。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于西安電子科技大學(xué);陜西博縱電子科技有限公司，未經(jīng)西安電子科技大學(xué);陜西博縱電子科技有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810170086.0/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：超音波成像方法
- 下一篇：一種內(nèi)科醫(yī)生用的便攜式叩診錘
