[發(fā)明專(zhuān)利]光柵及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810169872.9
• 申請(qǐng)日: 2018-02-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108469644B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王雨婷;伊福廷;王波;周悅;張?zhí)鞗_;劉靜
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院高能物理研究所
• 主分類(lèi)號(hào): G02B5/18
• 分類(lèi)號(hào): G02B5/18
• 代理公司: 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種光柵的制備方法，包括：

對(duì)第一襯底進(jìn)行第一處理，得到帶有預(yù)定結(jié)構(gòu)的第一金制圖形，進(jìn)而得到中間掩膜板，所述第一處理包括步驟：

在第一襯底表面蒸鍍鉻和金，形成第一蒸鍍層；

在所述第一蒸鍍層上涂覆一層第一光刻膠；以及

采用預(yù)定結(jié)構(gòu)位于側(cè)邊的原始掩膜板對(duì)所述第一光刻膠進(jìn)行紫外曝光，并進(jìn)行顯影、電鍍金和去膠，且所述預(yù)定結(jié)構(gòu)包括周期性的正弦型、波浪形和鋸齒形結(jié)構(gòu)；

在第二襯底上制備納米柱陣列，并采用該中間掩膜板對(duì)所述納米柱陣列進(jìn)行第二處理，得到帶有預(yù)定結(jié)構(gòu)的第二金制圖形，進(jìn)而得到最終掩膜板，所述第二處理包括步驟：

在所述納米柱陣列的表面蒸鍍鉻和金，形成第二蒸鍍層；

在所述第二蒸鍍層上涂覆一層第二光刻膠；以及

采用預(yù)定結(jié)構(gòu)位于側(cè)邊的中間掩膜板對(duì)所述第二光刻膠進(jìn)行X射線納米光刻，并進(jìn)行顯影、電鍍金和去膠；以及

采用該最終掩膜板對(duì)PMMA片進(jìn)行第三處理，得到光柵。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，采用該最終掩膜板對(duì)PMMA片進(jìn)行第三處理，包括步驟：

以所述最終掩膜板對(duì)PMMA片進(jìn)行X射線深度光刻；以及

對(duì)光刻后的PMMA片進(jìn)行顯影。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

在得到中間掩膜板之前還包括步驟：對(duì)所述第一金制圖形旋涂一次聚酰亞胺，去除所述第一金制圖形背面的第一襯底；以及

在得到最終掩膜板之前還包括步驟：對(duì)所述第二金制圖形旋涂?jī)纱尉埘啺罚コ龅诙鹬茍D形背面的第二襯底。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述中間掩膜板為預(yù)定結(jié)構(gòu)位于側(cè)邊的柱體，且該柱體的厚度為1.2～1.5μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一蒸鍍層的厚度為10～100nm，所述第一光刻膠的厚度大于2μm；所述第二光刻膠的厚度大于15μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述納米柱陣列的高寬比為10～40，且納米柱陣列的直徑為50～200nm，高度為2μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

所述第一襯底為硅襯底或者鍺襯底；和/或

所述第二襯底為硅襯底或者鍺襯底。

8.一種光柵，采用如權(quán)利要求1至7中任一所述的方法制備得到。