[發(fā)明專利]閃存器件及其擦除方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810168902.4
• 申請(qǐng)日: 2018-02-28
• 公開（公告）號(hào): CN108154899A
• 公開（公告）日: 2018-06-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李康
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): G11C16/14
• 分類號(hào): G11C16/14;G11C16/34
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 周全

1.一種閃存器件，其特征在于，包括：

多個(gè)存儲(chǔ)單元，該多個(gè)存儲(chǔ)單元被劃分成多個(gè)區(qū)塊；

多個(gè)計(jì)數(shù)器，該多個(gè)計(jì)數(shù)器分別對(duì)應(yīng)于各個(gè)所述區(qū)塊，用于對(duì)所述區(qū)塊的擦除次數(shù)進(jìn)行計(jì)數(shù)；以及

控制部，用于在對(duì)各個(gè)所述區(qū)塊進(jìn)行擦除操作時(shí)，從與所述區(qū)塊相對(duì)應(yīng)的計(jì)數(shù)器中讀取該區(qū)塊的擦除次數(shù)，并進(jìn)一步獲取與該擦除次數(shù)相對(duì)應(yīng)的擦除操作參數(shù)，以讀取到的擦除操作參數(shù)對(duì)該區(qū)塊進(jìn)行擦除操作，所述擦除操作參數(shù)包括擦除電壓。

2.如權(quán)利要求1所述的閃存器件，其特征在于，

預(yù)先制定有擦除次數(shù)-擦除操作參數(shù)映射表，該擦除次數(shù)-擦除操作參數(shù)映射表中存放有擦除次數(shù)與擦除操作參數(shù)的對(duì)應(yīng)關(guān)系，

根據(jù)該擦除次數(shù)-擦除操作參數(shù)映射表，獲取與擦除次數(shù)相對(duì)應(yīng)的擦除操作參數(shù)。

3.如權(quán)利要求2所述的閃存器件，其特征在于，

所述擦除次數(shù)-擦除操作參數(shù)映射表中，所述擦除次數(shù)越多，所述擦除電壓越高。

4.如權(quán)利要求2所述的閃存器件，其特征在于，

所述擦除操作參數(shù)還包括擦除時(shí)間，所述擦除次數(shù)-擦除操作參數(shù)映射表中還存放有擦除次數(shù)與擦除時(shí)間的對(duì)應(yīng)關(guān)系。

5.如權(quán)利要求4所述的閃存器件，其特征在于，

根據(jù)各個(gè)所述區(qū)塊中的存儲(chǔ)單元的閾值電壓，變更所述擦除次數(shù)-擦除電壓映射表中擦除次數(shù)對(duì)應(yīng)的擦除電壓和/或擦除時(shí)間。

6.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的閃存器件，其特征在于，

各個(gè)所述區(qū)塊共用所述擦除次數(shù)-擦除電壓映射表；或者各個(gè)所述區(qū)塊具有各自對(duì)應(yīng)的擦除次數(shù)-擦除電壓映射表；或者各個(gè)所述區(qū)塊中的一部分區(qū)塊共用所述擦除次數(shù)-擦除電壓映射表。

7.如權(quán)利要求1所述的閃存器件，其特征在于，

所述計(jì)數(shù)器分別由各個(gè)所述區(qū)塊中的16位的存儲(chǔ)區(qū)構(gòu)成。

8.一種閃存器件的擦除方法，該閃存器件包括：多個(gè)存儲(chǔ)單元，該多個(gè)存儲(chǔ)單元被劃分成多個(gè)區(qū)塊；所述擦除方法包括：

讀取當(dāng)前區(qū)塊對(duì)應(yīng)的計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)值，獲得該當(dāng)前區(qū)塊的擦除次數(shù)；所述計(jì)數(shù)器用于對(duì)該當(dāng)前區(qū)塊的擦除次數(shù)進(jìn)行計(jì)數(shù)；

根據(jù)所述計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)值，獲取與該擦除次數(shù)相對(duì)應(yīng)的擦除操作參數(shù)，所述擦除操作參數(shù)包括擦除電壓；

以所述擦除操作參數(shù)對(duì)該當(dāng)前區(qū)塊進(jìn)行擦除操作。

9.如權(quán)利要求8所述的閃存器件的擦除方法，其特征在于，

預(yù)先制定擦除次數(shù)-擦除操作參數(shù)映射表，該擦除次數(shù)-擦除操作參數(shù)映射表中存放有擦除次數(shù)與擦除操作參數(shù)的對(duì)應(yīng)關(guān)系；根據(jù)該擦除次數(shù)-擦除操作參數(shù)映射表，獲取與擦除次數(shù)相對(duì)應(yīng)的擦除操作參數(shù)。

10.如權(quán)利要求9所述的閃存器件的擦除方法，其特征在于，

所述擦除次數(shù)-擦除操作參數(shù)映射表中，所述擦除次數(shù)越多，所述擦除電壓越高。

11.如權(quán)利要求9所述的閃存器件的擦除方法，其特征在于，

所述擦除操作參數(shù)還包括擦除時(shí)間，所述擦除次數(shù)-擦除操作參數(shù)映射表中還存放有擦除次數(shù)與擦除時(shí)間的對(duì)應(yīng)關(guān)系。

12.如權(quán)利要求11所述的閃存器件的擦除方法，其特征在于，

在對(duì)當(dāng)前區(qū)塊進(jìn)行擦除操作后，進(jìn)一步根據(jù)該當(dāng)前區(qū)塊中的存儲(chǔ)單元的閾值電壓，判斷該區(qū)塊的擦除動(dòng)作是否完成。

13.如權(quán)利要求12所述的閃存器件的擦除方法，其特征在于，

在當(dāng)前區(qū)塊中的所有存儲(chǔ)單元的閾值電壓均小于參考電壓時(shí)，完成該當(dāng)前區(qū)塊的擦除動(dòng)作；否則執(zhí)行調(diào)整步驟以獲取新的擦除操作參數(shù)，以新的擦除操作參數(shù)對(duì)該當(dāng)前區(qū)塊進(jìn)行擦除操作。