[發明專利]一種抗總劑量輻射PNP晶體管結構有效
| 申請號： | 201810168020.8 | 申請日： | 2018-02-28 |
| 公開（公告）號： | CN108447901B | 公開（公告）日： | 2021-03-23 |
| 發明（設計）人： | 劉智;姜洪雨;葛梅;梁希 | 申請（專利權）人： | 西安微電子技術研究所 |
| 主分類號： | H01L29/73 | 分類號： | H01L29/73;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人： | 徐文權 |
| 地址： | 710065 陜西*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 劑量 輻射 pnp 晶體管 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種抗總劑量輻射PNP晶體管結構，其特征在于，包括p型襯底（1）和設置在p型襯底（1）內的n阱（2）；
所述的p型襯底（1）內設置與n阱（2）間隔的第二p+區（5）；
所述的n阱（2）內分別間隔設置有第一p+區（4）和n+注入區（6）；第一p+區（4）外環繞設置有環形多晶硅柵（8）；
所述p型襯底（1）和所述n阱（2）上覆蓋有柵氧層（7）；
所述環形多晶硅柵（8）設置在所述柵氧層（7）上方且對應第一p+區（4）呈環繞布置，所述環形多晶硅柵（8）接地；
所述n+注入區（6）和所述第二p+區（5）均呈環形設置；
所述環形多晶硅柵（8）的寬度能夠隔離所述第一p+區（4）和所述n+注入區（6）；
所述環形多晶硅柵（8）的厚度小于1500埃米；
所述環形多晶硅柵（8）基于CMOS工藝制成。
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